Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоосаждение металла в гетеропереходах с твердым электролитом. Случай гетеропереходов CdSe--As₂S₃ : Ag_x (x=0.9-2.4)

Стецун А.И.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 14 декабря 2002 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

PDF версия

Явление фотоосаждения серебра было обнаружено в гетеропереходах CdSe-As₂S₃ : Ag_x (x=0.9-2.4). Массоперенос ионов серебра к границе раздела слоев обусловлен электрическим полем, которое возникает из-за разделения электронно-дырочных пар в областях пространственного заряда гетероперехода при генерации фотоэдс. Такая миграция ионов также стимулируется увлечением ионов электронным потоком. Рекомбинация электронов с ионами на границе раздела слоев приводит к фотоосаждению кластеров химического элемента, ответственного за ионную проводимость в твердом электролите. Предложен новый метод изготовления материала для оптической записи информации на основе явления фотостимулированного переноса ионов и фотоосаждения металла в гетеропереходах на основе твердого электролита.

И.З. Индутный, М.Т. Костышин, В.И. Минько, Е.В. Михайловская, П.Ф. Романенко. Фотостимулированные взаимодействия в структурах металл--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1992) с. 134
A.V. Kolobov, S.R. Elliott. Adv. Phys., 40, 625 (1991)
Y. Utsugi, A. Yoshikawa, T. Kitayama. Microelectronics Eng., 2, 281 (1984)
I.Z. Indutnyi, A.V. Stronski, S.A. Kostioukevich, P.F. Romanenko, P.E. Shepeliavyi, I.I. Robur. Opt. Eng., 34, 1030 (1995)
W.M. Moreau. Microlitography (N. Y.--London, Plenum Press, 1988) p. 269
K. Tanaka, H. Sanjoh. J. Appl. Phys., 74, 1106 (1993).
K. Tanaka. J. Non-Cryst. Sol., 137, 138, 1021 (1991)
G.A. Kluge. Phys. St. Sol., 101, 105 (1987)
S.T. Lakshmikumar. J. Non-Cryst. Sol., 88, 196 (1986)
В.А. Данько, И.З. Индутный, А.А. Кудрявцев, В.И. Минько, А.И. Стецун. Укр. физ. журн., 36, 937 (1991)
I.Z. Indutnyi, V.A. Dan'ko, A.A. Kudryavtsev, E.V. Mihailovskaja, V.I. Min'ko, J. Non-Cryst. Sol., 185, 176 (1995)
В.А. Данько, И.З. Индутный, О.П. Косярум, В.В. Коломиец, А.А. Кудрявцев, В.И. Минько. Препринт 8-89 (Ин-т полупроводников АН Украины, 1989)
Б.И. Болтакс, С.М. Городетский, Т.Д. Джафаров. ФТТ, 13, 3420 (1971)
В.А. Данько, И.З. Индутный, В.И. Минько. Физика и химия стекла, 18, 128 (1992)
А.Г. Милнс, Д.Л. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (Нью-Йорк--Лондон, Академик Пресс, 1972) с. 142
М.В. Сопинский. Оптоэлектроника, 1, 95 (1997)
S. Maruno, T. Kawaguchi. J. Appl. Phys., 46, 5312 (1975)
K. Tanaka, N. Yoshida, Y. Yamaoka. Phys. Mag. Lett., 68, 81 (1993)
Current Topic in Photovoltaics, ed. by T.G. Coutts, J.D. Meakin (London, Academic Press, 1972) p. 25
И.З. Индутный. Журн. прикл. и науч. фотографии, 39, 65 (1994)
А.М. Андриеш, М.С. Йову, Д.И. Циуляну, С.Д. Шутов. Сульфид мышьяка и его сплавы (Кишинев, Штиинца, 1981)
К.Л. Чопра, С.Р. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986) с. 145
N.D. Dhere, N.R. Parikh, A. Ferreira. Thin Sol. Films, 36, 133 (1976)
В.С. Фоменко. Эмиссионные свойства материалов. Справочник (Киев, Наук. думка, 1981) с. 184
W.G. Oldham, A.G. Milnes. Sol. St. Electron., 6, 121 (1963)
B. Augusta, R.L. Anderson. J. Appl. Phys., 36, 206 (1965)
В.Б. Фикс. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1969) с. 108
A.L. Fahrenbruch, R.H. Bube. Fundamentals of solar cells. Photovoltaic solar energy conversion (N.Y., Academic Press, 1983) p. 65
В.Н. Чеботин, М.В. Перфильев. Электрохимия твердых электролитов (М., Химия, 1978)
С.С. Бацанов. Электроотрицательность элементов и химическая связь (Новосибирск, Наука. Сиб. отд-ние, 1962)
А.Г. Хачатурян. Теория фазовых переходов и структура твердых растворов (М., Наука, 1974)
Р. Кольер, К. Беркхарт, Л. Лин. Оптическая голография (М., Мир, 1973). [Пер. с англ.: R.J. Kollier, C.B. Burckhart, L.H. Lin. Optical Holography (Academic Press, N.Y.--London, 1971)]
Т. Джеймс. Теория фотографического процесса (Л., Химия, 1980). [Пер. с англ.: The theory of the Photographic Process, ed. by T.H. James (Macmillan Publ. Co, N.Y., 1977)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель