"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Кинетика амбиполярных токов диффузии и дрейфа неравновесных носителей в полупроводниках
Абдуллаев А.А.1, Алиев А.Р.1, Камилов И.К.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 19 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

Предложен принципиально новый способ определения дрейфовой подвижности полупроводников, основанный на измерении времени достижения максимального (пикового) значения диффузионно-дрейфового тока неравновесных носителей, возбуждаемых короткими импульсами света из области сильного поглощения через один из контактов. При условии превышения дрейфового потока над диффузионным, как показал вычислительный эксперимент, подвижность mu вычисляется по формуле mu=d2(2Utmax)-1, где d --- расстояние между контактами, U --- приложенное напряжение, tmax --- время достижения пикового значения фототока. Условие выполняется при напряжениях выше значений, соответствующих наибольшей скорости спада зависимости tmax(U).
  1. А.А. Абдуллаев, А.З. Гаджиев. ФТП, 25, 30 (1991)
  2. К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977) с. 161

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.