Термодинамическая устойчивость эпитаксиальных пленок GaInSb, InAsSb, GaInP
Дейбук В.Г.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 22 января 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.
Рассчитаны интервалы несмешиваемости и критические температуры спинодального распада тройных полупроводниковых систем Ga-In-Sb, Ga-In-P и In-As-Sb с учетом как деформационной энергии, так и эффекта пластической релаксации, обусловленного дислокациями несоответствия. Показано, что такой учет упругой энергии ведет к сужению области спинодального распада и понижению его критической температуры. Введение феноменологического параметра в формулу Метьюза-Блейксли позволило удовлетворительно согласовать теоретически рассчитанные значения критических толщин эпитаксиальных пленок с экспериментально известными.
- S.C. Jain, M. Willander, H. Maes. Semicond. Sci. Technol., 11, 641 (1996)
- A. Rogalski. Progr. Quant. Electron., 13, 191 (1989)
- C-H. Lin, S.S. Pei, H.Q. Le, J.R. Meyer, C.L. Felix. Appl. Phys. Lett., 71, 3281 (1997)
- M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.A. Bedarev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, R. Heitz, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Physica E, 7, 326 (2000)
- В.И. Фистуль. Распад пересыщенных твердых растворов (М., Металлургия, 1977)
- В.А. Елюхин, Л.П. Сорокина. ДАН СССР, 287, 1384 (1986)
- G.B. Stringfellow. J. Electron. Mater., 11, 903 (1982)
- E.D. Fitzgerald, S.B. Samavedam, Y.H. Xie, L.M. Giovane. J. Vac. Sci. Technol. A, 15, 1048 (1997)
- J.H. Van der Merve, W.A. Jesser. J. Appl. Phys., 63, 1509 (1988)
- G.B. Stringfellow. J. Phys. Chem. Sol., 34, 1749 (1973)
- M. Ilegems, M.B. Panish. J. Phys. Chem. Sol., 35 409 (1974)
- A. Chen, A. Sher. Semiconductor Alloys: Physics and Material Engineering (N. Y., Plenum Press, 1995)
- А.Г. Хачатурян. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов (М., Наука, 1974)
- И.П. Ипатова, В.Г. Малышкин, А.Ю. Маслов, В.А. Щукин. ФТП, 27, 285 (1992)
- I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. J. Appl. Phys., 74, 7198 (1993)
- Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теория упругости (М., Наука, 1987) 5
- R. Beanland, D.J. Dunstan, P.J. Goodhew. Adv. Phys., 45, 87 (1996)
- S.C. Jain. Germanium--Silicon Strained Layers and Heterostructures (Boston, MA, Academic, 1994)
- C. Lin, A.Z. Li. J. Cryst. Growth, 203, 511 (1999)
- S.-H. Wei, L.G. Ferreira, A. Zunger. Phys. Rev. B, 41, 8240 (1990)
- A. Rakovska, V. Berger, X. Marcadet, B. Vinter, K. Bouzehouane, D. Kaplan. Semicond. Sci. Technol., 15, 34 (2000)
- M.A. Marciniak, R.L. Hengehold, Y.K. Yeo. J. Appl. Phys., 84, 480 (1998)
- G.M. Cohen, P. Zisman, G. Bahir, D. Ritter. J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 2639 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.