"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Термодинамическая устойчивость эпитаксиальных пленок GaInSb, InAsSb, GaInP
Дейбук В.Г.1
1Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
Поступила в редакцию: 22 января 2003 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2003 г.

Рассчитаны интервалы несмешиваемости и критические температуры спинодального распада тройных полупроводниковых систем Ga--In--Sb, Ga--In--P и In--As--Sb с учетом как деформационной энергии, так и эффекта пластической релаксации, обусловленного дислокациями несоответствия. Показано, что такой учет упругой энергии ведет к сужению области спинодального распада и понижению его критической температуры. Введение феноменологического параметра в формулу Метьюза--Блейксли позволило удовлетворительно согласовать теоретически рассчитанные значения критических толщин эпитаксиальных пленок с экспериментально известными.
  1. S.C. Jain, M. Willander, H. Maes. Semicond. Sci. Technol., 11, 641 (1996)
  2. A. Rogalski. Progr. Quant. Electron., 13, 191 (1989)
  3. C-H. Lin, S.S. Pei, H.Q. Le, J.R. Meyer, C.L. Felix. Appl. Phys. Lett., 71, 3281 (1997)
  4. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.A. Bedarev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, R. Heitz, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. Physica E, 7, 326 (2000)
  5. В.И. Фистуль. Распад пересыщенных твердых растворов (М., Металлургия, 1977)
  6. В.А. Елюхин, Л.П. Сорокина. ДАН СССР, 287, 1384 (1986)
  7. G.B. Stringfellow. J. Electron. Mater., 11, 903 (1982)
  8. E.D. Fitzgerald, S.B. Samavedam, Y.H. Xie, L.M. Giovane. J. Vac. Sci. Technol. A, 15, 1048 (1997)
  9. J.H. Van der Merve, W.A. Jesser. J. Appl. Phys., 63, 1509 (1988)
  10. G.B. Stringfellow. J. Phys. Chem. Sol., 34, 1749 (1973)
  11. M. Ilegems, M.B. Panish. J. Phys. Chem. Sol., 35 409 (1974)
  12. A. Chen, A. Sher. Semiconductor Alloys: Physics and Material Engineering (N. Y., Plenum Press, 1995)
  13. А.Г. Хачатурян. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов (М., Наука, 1974)
  14. И.П. Ипатова, В.Г. Малышкин, А.Ю. Маслов, В.А. Щукин. ФТП, 27, 285 (1992)
  15. I.P. Ipatova, V.G. Malyshkin, V.A. Shchukin. J. Appl. Phys., 74, 7198 (1993)
  16. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Теория упругости (М., Наука, 1987) 5
  17. R. Beanland, D.J. Dunstan, P.J. Goodhew. Adv. Phys., 45, 87 (1996)
  18. S.C. Jain. Germanium--Silicon Strained Layers and Heterostructures (Boston, MA, Academic, 1994)
  19. C. Lin, A.Z. Li. J. Cryst. Growth, 203, 511 (1999)
  20. S.-H. Wei, L.G. Ferreira, A. Zunger. Phys. Rev. B, 41, 8240 (1990)
  21. A. Rakovska, V. Berger, X. Marcadet, B. Vinter, K. Bouzehouane, D. Kaplan. Semicond. Sci. Technol., 15, 34 (2000)
  22. M.A. Marciniak, R.L. Hengehold, Y.K. Yeo. J. Appl. Phys., 84, 480 (1998)
  23. G.M. Cohen, P. Zisman, G. Bahir, D. Ritter. J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 2639 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.