Вышедшие номера
Фотодиоды на основе структур Ga2O3/n-GaAs, способные работать в автономном режиме
Калыгина В.М. 1, Киселева О.С.1, Кушнарев Б.О. 1, Олейник В.Л. 1, Петрова Ю.С. 1, Цымбалов А.В. 1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Email: kalygina@ngs.ru, olya.kiseleva90@mail.ru, Kuschnaryow@mail.ru, petrovays@mail.ru, zoldmine@gmail.com
Поступила в редакцию: 18 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 28 июля 2022 г.
Принята к печати: 28 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2022 г.

Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией N_d=9.5·1014-3. Толщина оксидной пленки равнялась 120 нм. Измерения на частоте 106 Гц показали, что вольт-фарадные и вольт-сименсные зависимости описываются кривыми, характерными для структур металл-диэлектрик-полупроводник и обнаруживают слабую чувствительность к излучению с λ=254 нм. При работе на постоянном сигнале образцы проявляют свойства фотодиода и способны работать в автономном режиме. Фотоэлектрические характеристики детекторов во время непрерывного действия излучения с λ=254 нм определяются высокой плотностью ловушек на границе Ga2O3/GaAs и в объеме оксидной пленки. Ключевые слова: МДП-структуры, вольт-фарадные характеристики, вольт-сименсные характеристики, фототок, плотность ловушек.