Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 9 » Статья стр. 922
<<<>>>
Внутренние потери в инжекционных лазерах на основе квантовых яма-точек
DOI: 10.21883/FTP.2022.09.53416.9878
R&D project, Novel optical waveguides and cavities for edge-emitting and vertical diode lasers
HSE University, Basic Research Program
Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation , 0791-2020-0002
Жуков А.Е.1, Надточий А.М.1, Крыжановская Н.В.1, Шерняков Ю.М.2, Гордеев Н.Ю.2, Серин А.А.2, Минтаиров С.А.2, Калюжный Н.А.2, Паюсов А.С.2, Корнышов Г.О.3, Максимов М.В.3, Wang Y.4
1Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Laser Institute, Shandong Academy of Sciences, Qingdao, P.R. China
Email: zhukale@gmail.com
Поступила в редакцию: 4 мая 2022 г.
В окончательной редакции: 1 июля 2022 г.
Принята к печати: 8 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2022 г.
PDF версия
Экспериментально и с помощью численного моделирования исследованы внутренние потери на пороге генерации в лазерных резонаторах с плотными массивами квантовых точек InGaAs/GaAs (квантовых яма-точек) в зависимости от числа их рядов и величины потерь на вывод излучения. Найдены численные значения параметров, определяющие поглощение на свободных носителях в активной области и в расширенном волноводе. Определена оптимальная конструкция лазерного диода для достижения наибольшей внешней дифференциальной эффективности. Ключевые слова: полупроводниковые лазеры, полупроводниковые наноструктуры, внутренние потери.
  1. T. Kaul, G. Erbert, A. Maassdorf, S. Knigge, P. Crump. Semicond. Sci. Technol., 33, 035005 (2018). DOI: 10.1088/1361-6641/aaa221
  2. L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Masanovic. In: Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits, 2nd edn (Wiley, 2012) p. 570
  3. D. Garbuzov, L. Xu, S. Forrest, R. Menna, R. Martinelli, J. Connolly. Electron. Lett., 32 (18), 1717 (1996). DOI: 10.1049/el:19961098
  4. A. Al-Muhanna, L.J. Mawst, D. Botez, D.Z. Garbuzov, R.U. Martinelli, J.C. Connolly. Appl. Phys. Lett., 71 (9), 1142 (1997). DOI: 10.1063/1.119847
  5. J. Piprek, P. Abraham, J.E. Bower. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 5 (3), 643 (1999). DOI: 10.1109/2944.788430
  6. L.V. Asryan. Appl. Phys. Lett., 88, 073107 (2006). DOI: 10.1063/1.2174103
  7. З.Н. Соколова, Д.А. Веселов, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов, Л.В. Асрян. ФТП, 51 (7), 998 (2017). DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44661.8522
  8. M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, N.Yu. Gordeev, Yu.M. Shernyakov, A.S. Payusov, F.I. Zubov, V.N. Nevedomskiy, S.S. Rouvimov, A.E. Zhukov. Appl. Sci., 10 (3), 1038 (2020). DOI: 10.3390/app10031038
  9. N.Yu. Gordeev, A.S. Payusov, Yu.M. Shernyakov, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, M.M. Kulagina, M.V. Maximov. Optics Lett., 40 (9), 2150 (2015). DOI: 10.1364/OL.40.002150
  10. A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, V.I. Kopchatov, A.V. Lunev, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 14 (1), 118 (1999). DOI: 10.1088/0268-1242/14/1/020
  11. A.M. Nadtochiy, N.Yu. Gordeev, A.A. Kharchenko, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, Yu.S. Berdnikov, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, A.E. Zhukov. J. Lightwave Technol., 39 (23), 7479 (2021). DOI: 10.1109/JLT.2021.3116261
  12. N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, A.S. Payusov, A.A. Serin, Yu.M. Shernyakov, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, A.M. Nadtochiy, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 36, 015008 (2021). DOI: 10.1088/1361-6641/abc51d
  13. C.W. Shong, S.C. Haur, A.T.S. Wee. In: Science at the Nanoscale. An Introductory Textbook (Pan Stanford Publishing, 2010) p. 109
  14. K.H. Hasler, H. Wenzel, P. Crump, S. Knigge, A. Maasdorf, R. Platz, R. Staske, G. Erbert. Semicond. Sci. Technol., 29, 045010 (2014). DOI:10.1088/0268-1242/29/4/045010
  15. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001). DOI: 10.1063/1.1368156

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme