Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 9 » Статья стр. 915
<<<>>>
Анализ вольт-фарадных характеристик МДП-структур с ALD Al2O3 на n- и p-CdHgTe, стабилизированном сверхтонким собственным оксидом
DOI: 10.21883/FTP.2022.09.53415.9860
Российский научный фонд, 21-72-10134
Закиров Е.Р.1, Кеслер В.Г.1, Сидоров Г.Ю.1, Горшков Д.В.1, Ковчавцев А.П.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: erzakirov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 29 апреля 2022 г.
Принята к печати: 5 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2022 г.
PDF версия
Изучены вольт-фарадные характеристики структур металл-диэлектрик-полупроводник c атомно-слоевым осаждением Al2O3 на n- и p-Cd0.22Hg0.78Te (как с поверхностным варизонным слоем, так и без него), предварительно окисленном в кислородной плазме тлеющего разряда до толщины собственного оксида 2 нм. Полученные структуры характеризуются положительным встроенным зарядом плотностью ~(1-6)·1011 см-2. Отношение плотности медленных поверхностных состояний к поверхностной ширине запрещенной зоны полупроводника практически не зависит от варизонного слоя и составляет ~(4-8)·1011 см-2·эВ-1. Предложенная методика пассивации обеспечивает близкий к идеальному вид низкочастотных вольт-фарадных характеристик со слабым вкладом быстрых поверхностных состояний. Обнаружено, что пленки теллурида кадмия-ртути, выращенного без поверхностного варизонного слоя, более чувствительны к процессу окисления в плазме тлеющего разряда. Ключевые слова: теллурид кадмия-ртути, пленка, поверхностные состояния, плазма.
  1. R. Singh, A.K. Gupta, K.C. Chhabra. Def. Sci. J., 41, 205 (1991)
  2. M.B. Reine, A.K. Sood, T.J. Tredwell. In: Semiconductors and Semimetals, ed. by R.K. Willardson, A.C. Beer (Academic Press, 1981) p. 201
  3. A. Rogalski. Rep. Progr. Phys., 68, 2267 (2005)
  4. Y. Nemirovsky, G. Bahir. J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 450 (1989)
  5. S.H. Lee, H. Shin, H.C. Lee, C. Ki Kim. J. Electron. Mater., 26, 556 (1997)
  6. J. Zhang, G.A. Umana-Membreno, R. Gu, W. Lei, J. Antoszewski, J.M. Dell, L. Faraone. J. Electron. Mater., 44, 2990 (2015)
  7. R.K. Bhan, V. Srivastava, R.S. Saxena, L. Sareen, R. Pal, R.K. Sharma. Infr. Phys. Technol., 53, 404 (2010)
  8. А.В. Сорочкин, В.С. Варавин, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, М.В. Якушев. ФТП, 46, 551 (2012)
  9. V. Kumar, R. Pal, P.K. Chaudhury, B.L. Sharma, V. Gopal. J. Electron. Mater., 34, 1225 (2005)
  10. F. Sizov, M. Vuichyk, K. Svezhentsova, Z. Tsybrii, S. Stariy, M. Smolii. Mater. Sci. Semicond. Process., 124, 105577 (2021)
  11. Q. Lu, X. Wang, Y. Wei, Q. Sun, C. Lin. Mater. Res. Express, 8, 015903 (2021)
  12. X. Wang, K. He, X. Chen, Y. Li, C. Lin, Q. Zhang, Z. Ye, L. Xin, G. Gao, X. Yan, G. Wang, Y. Liu, T. Wang, J. Tian. AIP Advances, 10, 105102 (2020)
  13. Q. Lu, X. Wang, S. Zhou, R. Ding, L. He, C. Lin. Semicond. Sci. Technol., 35, 095003 (2020)
  14. А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, С.А. Дворецкий, Н.Н. Михайлов, Г.Ю. Сидоров, М.В. Якушев. Письма ЖТФ, 47 (12), 34 (2021)
  15. A.K. Saini, V. Srivastav, S. Gupta, B.L. Sharma, M. Asthania, N. Singh, S.K. Gaur, V.S. Meena, R. Thakur, Chanchal, V. Sharma, R.K. Sharma. Infr. Phys. Technol., 102, 102988 (2019)
  16. V.S. Meena, M.S. Mehata. Thin Sol. Films, 731, 138751 (2021)
  17. C. Ailiang, S. Changhong, W. Fang, Y. Zhenhua. Infr. Phys. Technol., 114, 103667 (2021)
  18. T.S. Lee, K.K. Choi, Y.T. Jeoung, H.K. Kim, J.M. Kim, Y.H. Kim, J.M. Chang, W.S. Song, S.U. Kim, M.J. Park, S.D. Lee. J. Electron. Mater., 26, 552 (1997)
  19. Y.K. Su, C. Te Lin, H.T. Huang, S.J. Chang, T.P. Sun, G.S. Chen, J.J. Luo. Jpn. J. Appl. Phys., 35, 1165 (1996)
  20. Y. Nemirovsky, R. Goshen. Appl. Phys. Lett., 37, 813 (1980)
  21. G.D. Davis, T.S. Sun, S.P. Buchner, N.E. Byer. J. Vac. Sci. Technol., 19, 472 (1981)
  22. W.H. Makky, A. Siddiqui, C.H. Tang. J. Vac. Sci. Technol. A, 4, 3169 (1986)
  23. Е.Р. Закиров, В.Г. Кеслер. ЖСХ, 60, 1091 (2019)
  24. V.G. Kesler, E.R. Zakirov. Proc. 15th Int. Conf. Young Spec. Micro/Nanotechnologies Electron Devices (IEEE, 2014) p. 33
  25. E.R. Zakirov, V.G. Kesler, G.Y. Sidorov, A.P. Kovchavtsev. Semicond. Sci. Technol., 35, 025019 (2020)
  26. S.A. Dvoretsky, V.S. Varavin, N.N. Mikhailov, Y.G. Sidorov, T.I. Zakharyash, V.V. Vasiliev, V.N. Ovsyuk, G.V. Chekanova, M.S. Nikitin, I.Y. Lartsev, A.L. Aseev. Proc. SPIE, 5964, 59640A (2005)
  27. A.P. Kovchavtsev, G.Y. Sidorov, A.E. Nastovjak, A.V. Tsarenko, I.V. Sabinina, V.V. Vasilyev. J. Appl. Phys., 121, 125304 (2017)
  28. А.В. Войцеховский, Н.А. Кульчицкий, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух. Нано- и микросистемная техника, 19, 3 (2017)
  29. M. Pociask, I.I. Izhnin, A.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, Y.G. Sidorov, V.S. Varavin, K.D. Mynbaev. Semicond. Sci. Technol., 24, 025031 (2009)
  30. M. Pociask, I.I. Izhnin, S.A. Dvoretsky, Y.G. Sidorov, V.S. Varavin, N.N. Mikhailov, N.H. Talipov, K.D. Mynbaev, A.V. Voitsekhovskii. Semicond. Sci. Technol., 25, 065012 (2010)
  31. I.I. Izhnin, V.V. Bogoboyashchyy, N.N. Berchenko, V.A. Yudenkov. J. Alloys Compd., 371, 122 (2004)
  32. А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов. Изв. вузов. Физика, 52 (10), 3 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme