Вышедшие номера
Влияние состава волноводного слоя на излучательные параметры лазерных гетероструктур InGaAlAs/InP спектрального диапазона 1550 нм
Новиков И.И.1, Няпшаев И.А.1, Гладышев А.Г.1, Андрюшкин В.В.1, Бабичев А.В.1, Карачинский Л.Я.1, Шерняков Ю.М.2, Денисов Д.В.3,4, Крыжановская Н.В.5, Жуков А.Е.5, Егоров А.Ю.6
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
6Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: Novikov@switch.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 мая 2022 г.
В окончательной редакции: 12 июля 2022 г.
Принята к печати: 10 августа 2022 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2022 г.

Исследовано влияние состава волновода InGaAlAs на фотолюминесценцию и электролюминесценцию гетероструктур спектрального диапазона 1550 нм на основе тонких напряженных квантовых ям In0.74Ga0.26As. Предложен подход, позволяющий на основе анализа электролюминесценции провести сравнительный анализ параметров усиления изготовленных лазерных гетероструктур. Показано, что уменьшение доли алюминия в составе волноводных слоев гетероструктуры, согласованных по постоянной решетки с фосфидом индия, приводит к падению интегральной интенсивности фотолюминесценции, однако лазеры с волноводом In0.53Ga0.31Al0.16As демонстрируют более высокие значения дифференциального усиления по сравнению с лазерами на основе волноводного слоя In0.53Ga0.27Al0.20As. Ключевые слова: квантовая яма, молекулярно-пучковая эпитаксия, фотолюминесценция, электролюминесценция.