Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 9 » Статья стр. 933
<<<
Влияние состава волноводного слоя на излучательные параметры лазерных гетероструктур InGaAlAs/InP спектрального диапазона 1550 нм
DOI: 10.21883/FTP.2022.09.53418.9892
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.09.54140.9892
Новиков И.И.1, Няпшаев И.А.1, Гладышев А.Г.1, Андрюшкин В.В.1, Бабичев А.В.1, Карачинский Л.Я.1, Шерняков Ю.М.2, Денисов Д.В.3,4, Крыжановская Н.В.5, Жуков А.Е.5, Егоров А.Ю.6
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
6Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: Novikov@switch.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 20 мая 2022 г.
В окончательной редакции: 12 июля 2022 г.
Принята к печати: 10 августа 2022 г.
Выставление онлайн: 31 августа 2022 г.
PDF версия
Исследовано влияние состава волновода InGaAlAs на фотолюминесценцию и электролюминесценцию гетероструктур спектрального диапазона 1550 нм на основе тонких напряженных квантовых ям In0.74Ga0.26As. Предложен подход, позволяющий на основе анализа электролюминесценции провести сравнительный анализ параметров усиления изготовленных лазерных гетероструктур. Показано, что уменьшение доли алюминия в составе волноводных слоев гетероструктуры, согласованных по постоянной решетки с фосфидом индия, приводит к падению интегральной интенсивности фотолюминесценции, однако лазеры с волноводом In0.53Ga0.31Al0.16As демонстрируют более высокие значения дифференциального усиления по сравнению с лазерами на основе волноводного слоя In0.53Ga0.27Al0.20As. Ключевые слова: квантовая яма, молекулярно-пучковая эпитаксия, фотолюминесценция, электролюминесценция.
  1. H.R. Ibrahim, M. Ahmed, F. Koyama. High speed modulation single mode 850 nm DTCC-VCSEL. In: 24th Microoptics Conf. (MOC), Nov. 2019
  2. N. Ledentsov, . Chorchos, O.Y. Makarov, V.A. Shchukin, V.P. Kalosha, J.-R. Kropp, J.P. Turkiewicz, C. Kottke, V. Jungnickel, R. Freund, N.N. Ledentsov. Electron. Lett., 57 (19), 735 (2021)
  3. D. Bimberg. Green Nanophotonics for Future Datacom and Ethernet Networks. In: Asia Communications and Photonics Conf. 2013 (2013)
  4. S. Spiga, D. Schoke, A. Andrejew, G. Boehm, M.-C. Amann. J. Light. Technol., 35 (15), 3130 (2017)
  5. D. Ellafi, V. Iakovlev, A. Sirbu, G. Suruceanu, Z. Mickovic, A. Caliman, A. Mereuta, E. Kapon. Opt. Express, 22 (26), 32180 (2014)
  6. A.V. Babichev, L.Y. Karachinsky, I.I. Novikov, A.G. Gladyshev, S.A. Blokhin, S. Mikhailov, V. Iakovlev, A. Sirbu, G. Stepniak, L. Chorchos, J.P. Turkiewicz, K.O. Voropaev, A.S. Ionov, M. Agustin, N.N. Ledentsov, A.Y. Egorov. IEEE J. Quant. Electron., 53 (6), 1 (2017)
  7. M. Ortsiefer, W. Hofmann, J. Rosskopf, M.C. Amann. Long-wavelength VCSELs with buried tunnel junction. In: VCSELs (Springer, Berlin--Heidelberg, 2013) p. 321
  8. H.-T. Cheng, Y.-C. Yang, T.-H. Liu, C.-H. Wu. Photonics, 9 (2), 107 (2022)
  9. G. Steinle, H. Riechert, A.Y. Egorov. Electron. Lett., 37 (2), 93 (2001)
  10. I.I. Novikov, N.Y. Gordeev, M.V. Maximov, Y.M. Shernyakov, A.E. Zhukov, A.P. Vasil'ev, E.S. Semenova, V.M. Ustinov, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, N.D. Zakharov, P. Werner. Semicond. Sci. Technol., 20 (1), 33 (2004)
  11. M. Gebski, D. Dontsova, N. Haghighi, K. Nunna, R. Yanka, A. Johnson, R. Pelzel, J.A. Lott. OSA Contin., 3 (7), 1952 (2020)
  12. S.A. Blokhin, M.A. Bobrov, A.A. Blokhin, A.G. Kuzmenkov, N.A. Maleev, V.M. Ustinov, E.S. Kolodeznyi, S.S. Rochas, A.V. Babichev, I.I. Novikov, A.G. Gladyshev, L.Y. Karachinsky, D.V. Denisov, K.O. Voropaev, A.S. Ionov, A.Y. Egorov. Semiconductors, 53 (8), 1104 (2019)
  13. A. Sirbu, G. Suruceanu, V. Iakovlev, A. Mereuta, Z. Mickovic, A. Caliman, E. Kapon. IEEE Photonics Technol. Lett., 25 (16), 1555 (2013)
  14. Е.С. Колодезный, А.С. Курочкин, С.С. Рочас, А.В. Бабичев, И.И. Новиков, А.Г. Гладышев, Л.Я. Карачинский, А.В. Савельев, А.Ю. Егоров, Д.В. Денисов. ФТП, 52 (9), 1034 (2018)
  15. М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Ф.И. Зубов, И.И. Новиков, А.Г. Гладышев, Л.Я. Карачинский, Д.В. Денисов, С.С. Рочас, Е.С. Колодезный, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков. Письма ЖТФ, 45 (11), 20 (2019)
  16. S. Karpov. Opt. Quant. Electron., 47 (6), 1293 (2015)
  17. K.R. Poguntke, A.R. Adams.  Electron. Lett., 1 (28), 41 (1992)
  18. L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits, ser. Wiley series in microwave and optical engineering (Wiley, N. Y., USA, 1995) p. 73
  19. Л.В. Асрян. Квант. электрон., 35 (12), 1117--1120 (2005)
  20. A.S. Polkovnikov, G.G. Zegrya. PRB, 58 (7), 4039 (1998)
  21. А.Е. Жуков. Основы физики и технологии полупроводниковых лазеров (СПб., Изд-во Академ. ун-та, 2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme