Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фотоиндуцированное изменение проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием

Казанский А.Г.¹, Мелл Х.², Теруков E.И.³, Форш П.А.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

²Philipps-Universitat Marburg, Fachbereich Physik, Marburg, Germany
³Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 23 декабря 2002 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано изменение темновой проводимости пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием, a-Si : H(Er), в результате их предварительного освещения при комнатной температуре. Изучено влияние компенсирующей примеси бора на фотоиндуцированное изменение проводимости пленок a-Si : H(Er). Установлено, что величина и знак изменения проводимости зависят от длительности освещения и положения уровня Ферми в щели подвижности. Рассмотрены возможные механизмы, приводящие к фотоиндуцированному изменению проводимости пленок a-Si : H(Er).

Rare Earth Doped Semiconductors, ed. by G.S. Pomrenke, P.B. Klein and D.W. Langer (Materials Research Society, Pittsburgh, 1993) [MRS Symp. Proc., 301 (1993)]
W. Fuhs, I. Ulber, G. Weiser, M.S. Bresler, O.B. Gusev, A.N. Kuznetsov, V.Kh. Kudoyarova, E.I. Terukov, I.N. Yassievich. Phys. Rev. B, 56, 9545 (1997)
H. Kuhne, G. Weiser, E.I. Terukov, A.N. Kuznetsov, V.Kh. Kudoyarova. J. Appl. Phys., 86, 896 (1999)
A.G. Kazanskii, H. Mell, G. Weiser, E.I. Terukov. J. Non-Cryst. Sol., 299--302, 704 (2001)
J.K. Rath, W. Fuhs, H. Mell. J. Non-Cryst. Sol., 137--138, 279 (1991)
S.-H. Choi, G.-L. Park, C. Lee, J. Yang. Sol. St. Commun., 59, 177 (1986)
J. Kakalios, H. Fritzsche. MRS Symp. Proc., 37, 29 (1985)
J. Kakalios. Phil. Mag. B, 54, 199 (1986)
C. Piamonteze, A.C. Iniguez, L.R. Tessler, M.C. Martin Alves, H. Tolentino. Phys. Rev. Lett., 81, 4652 (1998)
А.Г. Казанский. ФТП, 24, 556 (1990)
W. Beyer, J. Herion, H. Wagner. J. Non-Cryst. Sol., 114, 217 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель