"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Спектральная фоточувствительность гетероструктур a-SiGe : H/c-Si
Шерченков А.А.1
1Московский институт электронной техники, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.

Представлены результаты исследования свойств гетеростурктур a-SiGe : H/c-Si, полученных высокоскоростным методом низкочастотного (55 кГц) плазмохимического осаждения. Показано, что пленки a-SiGe : H обладают высокой фоточувствительностью. Положением пика фоточувствительности гетероструктур a-SiGe : H/c-Si можно управлять в диапазоне от 830 до 920 нм за счет увеличения содержания Ge и уменьшения ширины запрещенной зоны сплава a-SiGe : H.
  1. R.E.I. Schropp, M. Zeman. Amorphous and microcryctalline silicon solar cells: modeling, materials and device technology (Kluwer Academic publishers, Boston--Dordrecht--London, 1998) p. 207
  2. B.G. Budaguan, A.A. Sherchenkov, A.A. Berdnikov, A.A. Aivazov. Int. 196th Meeting Electrochem. Soc. and 1999 Fall Metting Electrochem. Soc. Japan (Hawaii, 1999) p. 1449
  3. Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 34, 685 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.