Спектральная фоточувствительность гетероструктур a-SiGe : H/c-Si
Шерченков А.А.1
1Московский институт электронной техники, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 23 декабря 2002 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2003 г.
Представлены результаты исследования свойств гетеростурктур a-SiGe : H/c-Si, полученных высокоскоростным методом низкочастотного (55 кГц) плазмохимического осаждения. Показано, что пленки a-SiGe : H обладают высокой фоточувствительностью. Положением пика фоточувствительности гетероструктур a-SiGe : H/c-Si можно управлять в диапазоне от 830 до 920 нм за счет увеличения содержания Ge и уменьшения ширины запрещенной зоны сплава a-SiGe : H.
- R.E.I. Schropp, M. Zeman. Amorphous and microcryctalline silicon solar cells: modeling, materials and device technology (Kluwer Academic publishers, Boston--Dordrecht--London, 1998) p. 207
- B.G. Budaguan, A.A. Sherchenkov, A.A. Berdnikov, A.A. Aivazov. Int. 196th Meeting Electrochem. Soc. and 1999 Fall Metting Electrochem. Soc. Japan (Hawaii, 1999) p. 1449
- Ю.А. Николаев, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, Е.И. Теруков. ФТП, 34, 685 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук