"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фазовые превращения, инициируемые в тонких слоях аморфного кремния наносекундным воздействием излучения эксимерного лазера
Ивлев Г.Д.1, Гацкевич Е.И.1
1Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 25 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.

Изучалась динамика отражения зондирующего пучка с длиной волны lambda=0.63 мкм от кремния, аморфизованного ионной имплантацией, (a-Si) при инициировании в нем процессов плавления и отвердевания воздействием эксимерного ArF-лазера. Установлено, что однократное плавление a-Si при энергиях ниже эпитаксиального порога не приводит к формированию поликристалла, но инициирует образование в аморфной матрице удаленных друг от друга нанокристаллов. Их присутствие обусловливает формирование поликристаллической структуры из расплава под действием второго лазерного импульса и возможность промежуточной кристаллизации Si в лазерно-индуцированной последовательности фазовых переходов. Проведено сравнение полученных данных с результатами изучения в аналогичных экспериментальных условиях фазовых превращений, инициируемых в тонких слоях гидрогенизированного a-Si на стеклянных подложках.
  1. W.C. Sinke, A. Polman, P.A. Stolk. Physical research. EPM-89. Energy Pulse and Particle Beam Modification of Materials, ed. by K. Hohmuth, E. Richter (Akademie Verlag, Berlin, 1990) v. 13, p. 94
  2. Г.Д. Ивлев. ЖТФ, 61 (1), 195 (1991)
  3. T. Sameshima, S. Usui. J. Appl. Phys., 70, 1281 (1991)
  4. E.L. Mathe, A. Naudon, M. Elliq, E. Fogarassy, S. de Unamuno. Appl. Surf. Sci., 54, 392 (1992)
  5. G. Ivlev, E. Gatskevich, V. Chab, J. Stuchlik, V. Vorliv cek, J. Kov cka. Appl. Phys. Lett., 75, 498 (1999)
  6. Г.Д. Ивлев, Н.А. Романова. Поверхность. Физика, химия, механика, N 4, 145 (1989)
  7. М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1970) с. 73
  8. J. Siegel, J. Solis, C.N. Afonso. Appl. Surf. Sci., 154-155, 130 (2000)
  9. Г.Д. Ивлев, Е.И. Гацкевич. ФТП, 34, 787 (2000)
  10. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987) с. 504
  11. C.D. Kim, R. Ishihara, M. Matsumura. Jp. J. Appl. Phys., 34, 5971 (1995)
  12. М.Д. Ефремов, В.В. Болотов, В.А. Володин, С.А. Кочубей, А.В. Кретинин. ФТП, 36, 109 (2002)
  13. Л.П. Авакянц, Г.Д. Ивлев, Е.Д. Образцова. ФТТ, 34, 3334 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.