Фазовые превращения, инициируемые в тонких слоях аморфного кремния наносекундным воздействием излучения эксимерного лазера
Ивлев Г.Д.1, Гацкевич Е.И.1
1Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
Поступила в редакцию: 25 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.
Изучалась динамика отражения зондирующего пучка с длиной волны lambda=0.63 мкм от кремния, аморфизованного ионной имплантацией, (a-Si) при инициировании в нем процессов плавления и отвердевания воздействием эксимерного ArF-лазера. Установлено, что однократное плавление a-Si при энергиях ниже эпитаксиального порога не приводит к формированию поликристалла, но инициирует образование в аморфной матрице удаленных друг от друга нанокристаллов. Их присутствие обусловливает формирование поликристаллической структуры из расплава под действием второго лазерного импульса и возможность промежуточной кристаллизации Si в лазерно-индуцированной последовательности фазовых переходов. Проведено сравнение полученных данных с результатами изучения в аналогичных экспериментальных условиях фазовых превращений, инициируемых в тонких слоях гидрогенизированного a-Si на стеклянных подложках.
- W.C. Sinke, A. Polman, P.A. Stolk. Physical research. EPM-89. Energy Pulse and Particle Beam Modification of Materials, ed. by K. Hohmuth, E. Richter (Akademie Verlag, Berlin, 1990) v. 13, p. 94
- Г.Д. Ивлев. ЖТФ, 61 (1), 195 (1991)
- T. Sameshima, S. Usui. J. Appl. Phys., 70, 1281 (1991)
- E.L. Mathe, A. Naudon, M. Elliq, E. Fogarassy, S. de Unamuno. Appl. Surf. Sci., 54, 392 (1992)
- G. Ivlev, E. Gatskevich, V. Chab, J. Stuchlik, V. Vorliv cek, J. Kov cka. Appl. Phys. Lett., 75, 498 (1999)
- Г.Д. Ивлев, Н.А. Романова. Поверхность. Физика, химия, механика, N 4, 145 (1989)
- М. Борн, Э. Вольф. Основы оптики (М., Наука, 1970) с. 73
- J. Siegel, J. Solis, C.N. Afonso. Appl. Surf. Sci., 154-155, 130 (2000)
- Г.Д. Ивлев, Е.И. Гацкевич. ФТП, 34, 787 (2000)
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников (Киев, Наук. думка, 1987) с. 504
- C.D. Kim, R. Ishihara, M. Matsumura. Jp. J. Appl. Phys., 34, 5971 (1995)
- М.Д. Ефремов, В.В. Болотов, В.А. Володин, С.А. Кочубей, А.В. Кретинин. ФТП, 36, 109 (2002)
- Л.П. Авакянц, Г.Д. Ивлев, Е.Д. Образцова. ФТТ, 34, 3334 (1992)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук