"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние параметров индуктивно-связанной плазмы хлорпентафторэтана на скорость и характеристики травления арсенида галлия
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Стипендия Президента Российской Федерации молодым ученым и аспирантам, осуществляющих перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики на 2021-2023 годы, СП-2056.2021.3
Охапкин А.И. 1, Краев С.А.1, Архипова Е.А.1, Данильцев В.М.1, Хрыкин О.И.1, Юнин П.А.1, Дроздов М.Н.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: andy-ohapkin@yandex.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.

Изучено влияние параметров индуктивно-связанной плазмы хлорпентафторэтана на скорость и характеристики травления арсенида галлия. Протравленные профили GaAs исследовались методами интерферометрии белого света и сканирующей электронной микроскопии. Оказалось, что скорость процесса не зависит от потока фреона, а определяется в большей степени емкостной и индуктивной мощностью, а также давлением. При этом с ростом мощности генератора плазмы существенно ухудшается морфология поверхности, что проявляется в увеличении шероховатости и появлении разного рода дефектов на GaAs и на маске. Проведение процесса при низком давлении приводит к выпадению единичных крупных неоднородностей на подложке. Переход от импульсного к непрерывному режиму травления сопровождается ухудшением анизотропии процесса из-за осаждения на боковых стенках полимерного слоя. Ключевые слова: хлорпентафторэтан, плазмохимическое травление, индуктивно-связанная плазма, арсенид галлия.
  1. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия (М., Мир, 1991) с. 373 [Пер. с англ.: M. Shur. GaAs Devices and Circuits (N. Y.-London, Plenum Press, 1987)]
  2. Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, С.А. Краев, В.Л. Крюков, Е.В. Скороходов, С.С. Стрельченко, В.И. Шашкин. ФТП, 53 (10), 1311 (2019)
  3. W. HaiLing, G. Xia, S. GuangDi. Sci. China Ser. E, 50 (6), 749 (2007)
  4. R. Braive, L. Le Gratiet, S. Guilet, G. Patriarche, A. Lemaitre, A. Beveratos, I. Robert- Philip, I. Sagnes. J. Vac. Sci. Technol. B, 27 (4), 1909 (2009)
  5. K. Liu, X.-M. Ren, Y.-Q. Huang, S.-W. Cai, X.-F. Duan, Q. Wang, C. Kang, J.-S. Li, Q.-T-Chen, J.-R. Fei. Appl. Surf. Sci., 356, 776 (2015)
  6. D.S. Rawal, B.K. Sehgal, R.Muralidharan, H.K. Malik. Plasma Sci. Technol., 13 (2), 223 (2011)
  7. А.И. Охапкин, П.А. Юнин, М.Н. Дроздов, С.А. Краев, Е.В. Скороходов, В.И. Шашкин. ФТП, 52 (11), 1362 (2018)
  8. А.И. Охапкин, С.А. Краев, Е.А. Архипова, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин, П.А. Юнин, М.Н. Дроздов. ФТП, 55 (10), 837 (2021)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.