"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Трансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN
Осинных И.В.1,2, Малин Т.В.1, Кожухов А.С.1, Бер Б.Я.3, Казанцев Д.Ю.3, Журавлев К.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: igor-osinnykh@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.

Методами атомно-силовой микроскопии и динамической вторично-ионной масс-спектрометрии были исследованы структурные свойства и структурное совершенство выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии из аммиака AlxGa1-xN/AlN/Al2O3 гетероструктур с высокой концентрацией кремния в слоях AlxGa1-xN : Si. Показано, что в случае, если буферные слои AlN металлической полярности содержат инверсионные домены азотной полярности, при последующем росте слоев AlxGa1-xN : Si инверсионные домены не прорастают до поверхности, а меняют азотную полярность на металлическую. На месте инверсионных доменов AlN растут уширяющиеся колонны AlxGa1-xN металлической полярности, которые срастаются с окружающей их матрицей металической полярности в однородную пленку. Толщина, на которой происходит полное срастание, увеличивается с увеличением содержания Al в слоях. Ключевые слова: A3-нитриды, инверсионные домены, структурные дефекты, аммиачная-МЛЭ.
  1. T. Takeuchi, C. Wetzel, S. Yamaguchi, H. Sakai, H. Amano, I. Akasaki, Y. Kaneko, S. Nakagawa, Y. Yamaoka, N. Yamada. Appl. Phys. Lett., 73, 1691 (1998)
  2. M. Leroux, N. Grandjean, M. Laugt, J. Massies, B. Gil, P. Lefebvre, P. Bigenwald. Phys. Rev. B, 58, R13371 (1998)
  3. F. Yun, D. Huang, M.A. Reshchikov, T. King, A.A. Baski, C.W. Litton, J. Jasinski, Z. Liliental-Weber, P. Visconti, H. Morkoc. Phys. Status Solidi B, 228, 543 (2001)
  4. H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, Y. Toyoda. Appl. Phys. Lett., 48, 353 (1986)
  5. S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys., 30, L1705 (1991)
  6. K. Uchida, A. Watanabe, F. Yano, M. Kouguchi, T. Tanaka, S. Minagawa. J. Appl. Phys., 79, 3487 (1996)
  7. N. Grandjean, J. Massies, M. Leroux. J. Appl. Phys., 69, 2071 (1996)
  8. M. Stutzmann, O. Ambacher, M. Eickhoff, U. Karrer, A. Lima Pimenta, R. Neuberger, J. Schalwig, R. Dimitrov, P.J. Schuck, R.D. Grober. Phys. Status Solidi B, 228, 505 (2001)
  9. R. Di Felice, J.E. Northrup. Appl. Phys. Lett., 73, 936 (1998)
  10. F. Liu, R. Collazo, S. Mita, Z. Sitar, G. Duscher, S.J. Pennycook. J. Appl. Phys. Lett., 91, 203115 (2007)
  11. Т.В. Малин, Д.С. Милахин, В.Г. Мансуров, Ю.Г. Галицын, А.С. Кожухов, В.В. Ратников, А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, К.С. Журавлeв. ФТП, 52, 643 (2018)
  12. D.H. Lim, K. Xu, S. Arima, A. Yoshikawa, K. Takahashi. J. Appl. Phys., 91, 6461 (2002)
  13. S. Mohn, N. Stolyarchuk, T. Markurt, R. Kirste, M.P. Hoffmann, R. Collazo, A. Courville, R. Di Felice, Z. Sitar, P. Vennegu\`es, M. Albrecht. Phys. Rev. Appl., 5, 054004 (2016)
  14. N. Grandjean, A. Dussaigne, S. Pezzagna, P. Vennegues. J. Cryst. Growth, 251, 460 (2003)
  15. Н.А. Черкашин, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, С.В. Новиков, T.S. Cheng, C.T. Foxon. ФТП, 34, 903 (2000)
  16. J.L. Rouviere, M. Arlery??, R. Niebuhr, K.H. Bachem, O. Briot. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 1, 33 (1997)
  17. A.V. Tikhonov, T.V. Malin, K.S. Zhuravlev, L. Dobos, B. Pecz. J. Cryst. Growth, 338, 30 (2012)
  18. C. Iwamoto. Mater. Transactions, 43, 1542 (2002)
  19. T.V. Shubina, K.F. Karlsson, V.N. Jmerik, S.V. Ivanov, A. Kavokin, P.O. Holtz, P.S. Kop'ev, B. Monemar. Phys. Rev. B, 67, 195310 (2003)
  20. R.G. Wilson, F.A. Stevieand, C.W. Magee. Secondary Ion Mass Spectrometry. A Practical Handbook for Depth Profiling and Bulk Impurity Analysis (Wiley, N. Y., 1989)
  21. A.R. Smith, R.M. Feenstra, D.W. Greve, M.-S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, J.E. Northrup. Surf. Sci., 423, (1), 70 (1999)
  22. W. Guo, R. Kirste, I. Bryan, Z. Bryan, L. Hussey, P. Reddy, J. Tweedie, R. Collazo, Z. Sitar. Appl. Phys. Lett., 106, 082110 (2015)
  23. R. Kirste, R. Collazo, G. Callsen, M.R. Wagner, T. Kure, J.S. Reparaz, S. Mita, J. Xie, A. Rice, J. Tweedie, Z. Sitar, A. Hoffmann. J. Appl. Phys., 110, 093503 (2011)
  24. M.N. Fireman, H. Li, S. Keller, U.K. Mishra, J.S. Speck. J. Cryst. Growth, 481, 65 (2018)
  25. T. Tanikawa S. Kuboya, T. Matsuoka. Phys. Status Solidi B, 254, 1600751 (2017)
  26. A. Ptak, L.J. Holbert, L. Ting, C.H. Swartz, M. Moldovan, N.C. Giles, T.H. Myers, P. van Lierde, C. Tian, R.A. Hockett, S. Mitha, A.E. Wickenden, D.D. Koleske, R.L. Henry. Appl. Phys. Lett.,  79, 2740 (2001)
  27. D.F. Storm, D.S. Katzer, D.J. Meyer, S.C. Binari. J. Appl. Phys., 112, 013507 (2012)
  28. S. Hofmann. Appl. Surf. Sci., 70/71, 9 (1993)
  29. S. Hofmann. Surf. Interface Anal., 30, 228 (2000)
  30. S. Hofmann. Surf. Interface Anal., 27, 825 (1999).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.