"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование InGaAs-квантовых точек в теле AlGaAs-нитевидных нанокристаллов при молекулярно-пучковой эпитаксии
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, государственное задание, 0791-2020-0003
European Research Council, the European Union’s Horizon 2020 research and innovation programme, 101003378
Санкт-Петербургского государственного университет, исследовательский грант, 92591131
Резник Р.Р.1, Гридчин В.О.1,2,3, Котляр К.П.1,2,3, Хребтов А.И.2, Убыйвовк Е.В.1, Микушев С.В.1, Li D.4, Radhakrishnan R.4, Neto J.F.4, Akopian N.4, Цырлин Г.Э.1,2,3
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4DTU Fotonik, Kongens Lyngby, Denmark
Email: moment92@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.

Представлены результаты экспериментальных исследований синтеза методом молекулярно-пучковой эпитаксии AlGaAs-нитевидных нанокристаллов с InGaAs-квантовыми точками. Показано, что, как и в случае системы материалов InP/InAsP, в теле нитевидного нанокристалла наблюдается формирование преимущественно двух объектов: InGaAs-квантовой точки вследствие аксиального роста и InGaAs-квантовой ямы вследствие радиального роста. Важно отметить, что выращенные наноструктуры сформировались преимущественно в вюрцитной кристаллографической фазе. Результаты исследований физических свойств выращенных наноструктур указывают на их перспективность для продвижения однофотонных источников в длинноволновую область. Предлагаемая технология открывает новые возможности для интеграции прямозонных III-V материалов с кремниевой платформой для различных приложений в области фотоники и квантовой связи. Ключевые слова: полупроводники, нитевидные нанокристаллы, квантовые точки, соединения III-V, кремний, молекулярно-пучковая эпитаксия.
  1. M. Karimi, V. Jain, M. Heurlin, A. Nowzari, L. Hussain, D. Lindgren, J.E. Stehr, I.A. Buyanova, A. Gustafsson, L. Samuelson. Nano Lett., 17 (6), 3356 (2017)
  2. J.K. Hyun, S. Zhang, L.J. Lauhon. Ann. Rev. Mater. Sci., 43, 451 (2013)
  3. K.W. Ng, W.S. Ko, T.-T.D. Tran, R. Chen, M.V. Nazarenko, F. Lu, V.G. Dubrovskii, M. Kamp, A. Forchel, C.J. Chang-Hasnain. ACS Nano, 7 (1), 100 (2013)
  4. M. Heiss, Y. Fontana, A. Gustafsson, G. Wust, C. Magen, D.D. O'regan, J.W. Luo, B. Ketterer, S. Conesa-Boj, A.V. Kuhlmann, J. Houel, E. Russo-Averchi, J.R. Morante, M. Cantoni, N. Marzari, J. Arbiol, A. Zunger, R.J. Warburton, A. Fontcuberta I Morral. Nature Materials, 12 (5), 439 (2013)
  5. K.S. Leschkies, R. Divakar, J. Basu, E. Enache-Pommer, J.E. Boercker, C.B. Carter, U.R. Kortshagen, D.J. Norris, E.S. Aydil. Nano Lett., 7 (6), 1793 (2007)
  6. A.V. Akimov, A. Mukherjee, C.L. Yu, D.E. Chang, A.S. Zibrov, P.R. Hemmer, H. Park, M.D. Lukin. Nature, 450 (7168), 402 (2007)
  7. M.T. Borgstrom, V. Zwiller, E. Muller, A. Imamoglu. Nano Lett., 5 (7), 1439 (2005)
  8. R.R. Reznik, G.E. Cirlin, I.V. Shtrom, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, A.E. Zhukov. Techn. Phys. Lett., 44 (2), 112 (2018)
  9. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 68 (7), 075409 (2003)
  10. L. Leandro, R. Reznik, J.D. Clement, J. Repan, M. Reynolds, E.V. Ubyivovk, I.V. Shtrom, G. Cirlin, N. Akopian. Sci. Rep., 10 (1), 1 (2020)
  11. G.E. Cirlin, I.V. Shtrom, R.R. Reznik, Y.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, A.D. Bouravleuv, I.P. Soshnikov. Semiconductors, 50 (11), 1421 (2016)
  12. G.E. Cirlin, R.R. Reznik, I.V. Shtrom, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, S.A. Kukushkin, L. Leandro, T. Kasama, N. Akopian. J. Phys. D, 50 (48), 484003 (2017)
  13. L. Leandro, C.P. Gunnarsson, R. Reznik, K.D. Jons, I. Shtrom, A. Khrebtov, T. Kasama, V. Zwiller, G. Cirlin, N. Akopian. Nano Lett., 18 (11), 7217 (2018)
  14. L. Leandro, J. Hastrup, R. Reznik, G. Cirlin, N. Akopian. NPJ Quant. Inf., 6 (1), 1 (2020)
  15. R.R. Reznik, K.M. Morozov, I.L. Krestnikov, K.P. Kotlyar, I.P. Soshnikov, L. Leandro, N. Akopian, G.E. Cirlin. Techn. Phys. Lett., 1 (2021)
  16. M. Heiss, B. Ketterer, E. Uccelli, J.R. Morante, J. Arbiol, A.F. i Morral. Nanotechnology, 22 (19), 195601 (2011)
  17. J. Tatebayashi, S. Kako, J. Ho, Y. Ota, S. Iwamoto, Y. Arakawa. J. Cryst. Growth, 468, 144 (2017)
  18. J. Tatebayashi, Y. Ota, S. Ishida, M. Nishioka, S. Iwamoto, Y. Arakawa. Appl. Phys. Lett., 105 (10), 103104 (2014)
  19. M.N. Makhonin, A.P. Foster, A.B. Krysa, P.W. Fry, D.G. Davies, T. Grange, T. Walther, M.S. Skolnick, L.R. Wilson. Nano Lett., 13 (3), 861 (2013)
  20. C.T. Huang, J.H. Song, C.M. Tsai, W.F. Lee, D.H. Lien, Z.Y. Gao, Y. Hao, L.J. Chen, Z.L. Wang. Adv. Mater., 36, 4008 (2010)
  21. N. Gogneau, N. Jamond, P. Chretien, F. Houze, E. Lefeuvre, M. Tchernycheva. Semicond. Sci. Technol., 31 (10), 103002 (2016)
  22. P.A. Alekseev, V.A. Sharov, P. Geydt, M.S. Dunaevskiy, V.V. Lysak, G.E. Cirlin, R.R. Reznik, A.I. Khrebtov, I.P. Soshnikov, E. Lahderanta. Phys. Status Solidi: Rapid Res Lett., 12 (1), 1700358 (2018)
  23. A. Kuznetsov, P. Roy, V.M. Kondratev, V.V. Fedorov, K.P. Kotlyar, R.R. Reznik, A.V. Vorobyev, I.S. Mukhin, G.E. Cirlin, A.D. Bolshakov. Nanomaterials, 12 (2), 241 (2022)
  24. R.R. Reznik, G.E. Cirlin, K.P. Kotlyar, I.V. Ilkiv, N. Akopian, L. Leandro, V.V. Nikolaev, A.V. Belonovski, M.A. Kaliteevski. Nanomaterials, 11 (11), 2894 (2021)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.