"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модель для многопараметрического анализа параметров короткоканальных транзисторов типа НЕМТ
Недошивина А.Д. 1, Макарцев И.В. 1,2, Оболенский С.В. 1,2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2АО Научно-производственное предприятие "Салют", Нижний Новгород, Россия
Email: nedoshivina@rf.unn.ru, ilya0296@gmail.com, obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.

На основе комплекса аналитической и одномерной численной моделей предложен подход к проведению многопараметрической оптимизации транзисторов типа НЕМТ для диапазона частот ~ 100 ГГц. Ключевые слова: HЕМТ-транзисторы, эффект всплеска скорости, короткоканальные транзисторы, аналитическая модель.
  1. В.Г. Тихомиров, В.Е. Земляков, В.В. Волков, Я.М. Парнес, В.Н. Вьюгинов, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, Н.А. Черкашин, М.Н. Мизеров, В.М. Устинов. ФТП, 50 (2), 245 (2016)
  2. Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский, О.Е. Галкин, А.В. Хананова, А.Б. Макаров. ФТП, 51 (11), 1543 (2017)
  3. S.-J. Cho, C. Wang, R.K. Maharjan, N.-Y. Kim. Proc. APMC 2012 (Kaohsiung, Taiwan, 2012) p. 4
  4. В.А. Беляков, И.В. Макарцев, А.Г. Фефелов, С.В. Оболенский, А.П. Васильев, А.Г. Кузьменков, М.М. Кулагина, Н.А. Малеев. ФТП, 55 (10), 890 (2021)
  5. Е.А. Тарасова, Д.С. Демидова, С.В. Оболенский, А.Г. Фефелов, Д.И. Дюков. ФТП, 46 (12), 1587 (2012)
  6. K. Yokoyama, K. Hess. Phys. Rev. B, 33 (8), 5595 (1986)
  7. Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский, C.В. Хазанова, Н.Н. Григорьева, О.Л. Голиков, А.Б. Иванов, А.С. Пузанов, А.Д.Боженькина. ФТП, 54 (9), 968 (2020)
  8. Ю. Пожела. Физика быстродействующих транзисторов (Вильнюс, Москлас. 1989)
  9. М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия, пер. с англ. (М., Мир, 1991). 632 с
  10. J.B. Boos, W. Kruppa. Electron. Lett., 27, 1909 (1991)
  11. Н.А. Малеев, А.П. Васильев, А.Г. Кузьменков, М.А. Бобров, М.М. Кулагина, С.И. Трошков, С.Н. Малеев, В.А. Беляков, Е.В. Петряков, Ю.П. Кудряшов, Е.Л. Фефелова, И.В. Макарцев, С.А. Блохин, Ф.А. Ахмедов, А.В. Егоров, А.В. Егоров, А.Г. Фефелов, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 45 (21), 29 (2019)
  12. Е.А. Тарасова, Е.С. Оболенская, С.В. Оболенский. Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 4, 12 (2012)
  13. Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский. Вестн. ННГУ, 5, 348 (2011)
  14. М.М. Венедиктов, Е.А. Тарасова, А.Д. Боженькина, С.В. Оболенский, В.В. Елесин, Г.В. Чуков, И.О. Метелкин, М.А. Кревский, Д.И. Дюков, А.Г. Фефелов. ФТП, 52 (12), 1414 (2018)
  15. S.-J. Cho, C. Wang, N.-Y. Kim. Microelectron. Eng., 113, 11 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.