Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Модель для многопараметрического анализа параметров короткоканальных транзисторов типа НЕМТ
Недошивина А.Д.
1, Макарцев И.В.
1,2, Оболенский С.В.
1,2
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2АО Научно-производственное предприятие "Салют", Нижний Новгород, Россия
2АО Научно-производственное предприятие "Салют", Нижний Новгород, Россия
Email: nedoshivina@rf.unn.ru, ilya0296@gmail.com, obolensk@rf.unn.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.
На основе комплекса аналитической и одномерной численной моделей предложен подход к проведению многопараметрической оптимизации транзисторов типа НЕМТ для диапазона частот ~ 100 ГГц. Ключевые слова: HЕМТ-транзисторы, эффект всплеска скорости, короткоканальные транзисторы, аналитическая модель.
- В.Г. Тихомиров, В.Е. Земляков, В.В. Волков, Я.М. Парнес, В.Н. Вьюгинов, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, Н.А. Черкашин, М.Н. Мизеров, В.М. Устинов. ФТП, 50 (2), 245 (2016)
- Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский, О.Е. Галкин, А.В. Хананова, А.Б. Макаров. ФТП, 51 (11), 1543 (2017)
- S.-J. Cho, C. Wang, R.K. Maharjan, N.-Y. Kim. Proc. APMC 2012 (Kaohsiung, Taiwan, 2012) p. 4
- В.А. Беляков, И.В. Макарцев, А.Г. Фефелов, С.В. Оболенский, А.П. Васильев, А.Г. Кузьменков, М.М. Кулагина, Н.А. Малеев. ФТП, 55 (10), 890 (2021)
- Е.А. Тарасова, Д.С. Демидова, С.В. Оболенский, А.Г. Фефелов, Д.И. Дюков. ФТП, 46 (12), 1587 (2012)
- K. Yokoyama, K. Hess. Phys. Rev. B, 33 (8), 5595 (1986)
- Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский, C.В. Хазанова, Н.Н. Григорьева, О.Л. Голиков, А.Б. Иванов, А.С. Пузанов, А.Д.Боженькина. ФТП, 54 (9), 968 (2020)
- Ю. Пожела. Физика быстродействующих транзисторов (Вильнюс, Москлас. 1989)
- М. Шур. Современные приборы на основе арсенида галлия, пер. с англ. (М., Мир, 1991). 632 с
- J.B. Boos, W. Kruppa. Electron. Lett., 27, 1909 (1991)
- Н.А. Малеев, А.П. Васильев, А.Г. Кузьменков, М.А. Бобров, М.М. Кулагина, С.И. Трошков, С.Н. Малеев, В.А. Беляков, Е.В. Петряков, Ю.П. Кудряшов, Е.Л. Фефелова, И.В. Макарцев, С.А. Блохин, Ф.А. Ахмедов, А.В. Егоров, А.В. Егоров, А.Г. Фефелов, В.М. Устинов. Письма ЖТФ, 45 (21), 29 (2019)
- Е.А. Тарасова, Е.С. Оболенская, С.В. Оболенский. Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру, 4, 12 (2012)
- Е.А. Тарасова, С.В. Оболенский. Вестн. ННГУ, 5, 348 (2011)
- М.М. Венедиктов, Е.А. Тарасова, А.Д. Боженькина, С.В. Оболенский, В.В. Елесин, Г.В. Чуков, И.О. Метелкин, М.А. Кревский, Д.И. Дюков, А.Г. Фефелов. ФТП, 52 (12), 1414 (2018)
- S.-J. Cho, C. Wang, N.-Y. Kim. Microelectron. Eng., 113, 11 (2014)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
