Обсуждается принципиальная роль химической пассивации поверхности GaAs в формировании на ней анизотропных ориентированных нанокластеров золота. Нанокластеры создаются методом термического отжига пленки Au, нанесенной на поверхность GaAs(001), которая предварительно пассивируется монослоем атомов азота или серы. Эти атомы, валентно связанные с атомами галлия поверхности кристалла и образующие кристаллическую решетку, предотвращают химическое взаимодействие Au с GaAs. В результате отжига на пассивированных поверхностях GaAs(001) образуются массивы анизотропных (вытянутых) нанокластеров химически чистого Au, которые ориентированы преимущественно в направлении [1=10] кристалла. Наличие сильной анизотропии и ориентации кластеров Au на пассивированных поверхностях GaAs установлено методами зондовой диагностики и оптическими методами дифференциальной спектроскопии анизотропного отражения и спектроскопии отражения поляризованного света. На основе оптической модели плазмонной поляризуемости вытянутых сфероидов Au показано, что резонансные спектральные особенности, которые наблюдаются в поляризованном отражении, обусловлены анизотропными плазмонами кластеров Au, поляризованными преимущественно в направлении [1=10] кристалла. Ключевые слова: поверхность полупроводника, нитридная пассивация, нанокластеры золота, анизотропные плазмоны, поляризованное отражение.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.