Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Фоточувствительные структуры на монокристаллах CdGa₂Se₄

Вайполин А.А.¹, Николаев Ю.А.¹, Полушина И.К.¹, Рудь В.Ю.², Рудь Ю.В.¹, Теруков Е.И.¹, Fernelius N.³

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

Peter the Great Saint-Petersburg Polytechnic University, St. Petersburg, Russia

³Air Force Wright Lab., Wright Patterson AFB, OH, USA

Поступила в редакцию: 26 сентября 2002 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.

PDF версия

Созданы первые фоточувствительные структуры на основе монокристаллов CdGa₂Se₄: поверхностно-барьерные структуры и гетероструктуры . Исследованы вольт-амперные характеристики и спектры квантовой эффективности полученных структур. Обнаружена поляризационная фоточувствительность структур . Обсуждаются процессы фоточувствительности структур с учетом фотоактивного поглощения в кристаллах CdGa₂Se₄ в примесной и собственной областях спектра. Сделан вывод о возможностях практического применения монокристаллов CdGa₂Se₄ в фотопреобразователях естественного и линейно поляризованного излучения.

А.Н. Георгобиани, С.И. Радауцан, И.М. Тигиняну. ФТП, 19, 193 (1985)
B.H. Bairamov, V.Yu. Rud', Yu.V. Rud'. MRS Bulletin, 23, 41 (1998)
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник, под ред. А.В. Новоселовой (М., Наука, 1975)
А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник (М., Мир, 1975)
R. Bacewicz. Phys. Lett., 79A, 121 (1979)
J.L. Shay, J.W. Wernick. Ternary chalkopyrite semiconductors (N. Y., Pergamon Press, 1975)
И.В. Боднарь, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 28, 2129 (1994)
Н.Н. Константинова, М.А. Магомедов, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 26, 588 (1992)
Ю.В. Рудь. Изв. вузов. Физика, 29 (8), 68 (1986)
Ф.П. Кесаманлы, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 513 (1999)
Ф.М. Гашимзаде, Э.Ш. Керимова. Препринт N 21 ИФ АН АзССР (Баку, 1980)
В.Л. Панюгин, Б.Э. Понедельников, А.Э. Розенсон, В.И. Чижиков, Изв. вузов. Физика, 22 (8), 57 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель