"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структурные и оптические свойства квантовых точек InAs в матрице AlGaAs
Сизов Д.С.1, Самсоненко Ю.Б.1, Цырлин Г.Э.1, Поляков Н.К.1, Егоров В.А.1, Тонких А.А.1, Жуков А.Е.1, Михрин С.С.1, Васильев А.П.1, Мусихин Ю.Г.1, Цацульников А.Ф.1, Устинов В.М.1, Леденцов Н.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 25 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.

Исследовались структурные и оптические свойства квантовых точек InAs в широкозонной матрице Al0.3Ga0.7As. Показано, что глубокая локализация носителей, достигаемая благодаря использованию более широкозонной по сравнению с GaAs матрицы, позволяет получать структуры с высокой температурной стабильностью оптических свойств. Исследованы особенности формирования квантовых точек при различных количествах осажденного InAs. Показано, что при увеличении эффективной толщины InAs, осажденного в Al0.3Ga0.7As, наблюдается монотонный сдвиг максимума излучения вплоть до длины волн ~1.18 мкм при комнатной температуре, что позволяет достичь энергии локализации экситона, существенно превышающей аналогичное значение для квантовых точек в матрице GaAs. С целью получения максимальной энергии локализации исследовалось влияние заращивания слоя квантовых точек слоем InGaAs. Показана возможность достижения длины волны излучения ~1.3 мкм.
  1. Y. Arakawa, H. Sakaki. Appl. Phys. Lett., 40, 1982 (1982)
  2. V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 15, R41 (2000)
  3. J.A. Lott, N.N. Ledentsov, V.M. Ustinov, N.A. Maleev, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, B.V. Volovik, Zh.I. Alferov, D. Bimberg. Electron. Lett., 36, 1384 (2000)
  4. С.С. Михрин, А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, Н.А. Малеев, В.М. Устинов, М.М. Кулагина, Е.В. Никитина, И.П. Сошников, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лившиц, Н.В. Крыжановская, Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.Н. Леденцов, D. Bimberg, Ж.И. Алферов. ФТП, 26, 1400 (2002)
  5. M.V. Maximov, L.V. Asryan, Yu.M. Shernyakov, A.F. Tsatsul'nikov, I.N. Kaiander, V.V. Nikolaev, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, N.N. Ledenstov, D. Bimberg. IEEE J. Quant. Electron., 37, 676 (2001)
  6. Б.В. Воловик, Д.С. Сизов, А.Ф. Цацульников, Ю.Г. Мусихин, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Егоров, В.Н. Петров, Н.К. Поляков, Г.Э. Цырлин. ФТП, 34, 1368 (2000)
  7. K. Kokie, H. Ohkawa, M. Yano. J. Appl. Phys., 38, L417 (1999)
  8. Y.S. Kim, U.H. Lee, D. Lee, S.J. Rhee, Y.A. Leem, H.S. Ko, D.H. Kim, J.C. Woo. J. Appl. Phys., 87, 241 (2000)
  9. M.V. Maximov, A.F. Tsatsul'nikov, B.V. Volovik, D.S. Sizov, Yu.M. Shernyakov, I.N. Kaiander, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, S.S. Mikhrin, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov, R. Heitz, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, D. Bimberg, Yu.G. Musikhin, W. Neumann. Phys. Rev. B, 62, 16 671 (2000)
  10. Д.С. Сизов, М.В. Максимов, А.Ф. Цацульников, Н.А. Черкашин, Н.В. Крыжановская, А.Б. Жуков. Н.А. Малеев, С.С. Михрин, А.П. Васильев, Р. Селин, В.М. Устинов, Н.Н. Леденцов, Д. Бимберг, Ж.И. Алферов. ФТП, 36, 1097 (2002)
  11. V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, D. Bimberg. Phys. Rev. Lett., 75, 2968 (1995)
  12. A.F. Tsatsul'nikov, A.R. Kovsh, A.E. Zhukov, Yu.M. Shernyakov, Yu.G. Musikhin, V.M. Ustinov, N.A. Bert, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, A.M. Mintairov, J.L. Merz, N.N. Ledentsov, D. Bimberg. J. Appl. Phys., 88, 6272 (2000)
  13. J.M. Moison, F. Houzay, F. Barthe, L. Leprince, E. Andre, O. Vatel. Appl. Phys. Lett., 66, 196 (1994)
  14. R. Heitz, T.R. Ramachandran, A. Kalburge, Q. Xie, I. Mukhametzhanov, P. Chen, A. Madhuar. Phys. Rev. Lett., 78, 4071 (1997)
  15. M. Krjin. Semicond. Sci. Technol., 6, 27 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.