"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электролитический способ приготовления пористого кремния с использованием внутреннего источника тока
Горячев Д.Н.1, Беляков Л.В.1, Сресели О.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 октября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Предложен новый способ получения пористого кремния, использующий в качестве источника тока разность потенциалов, которая возникает между погруженными в раствор электролита пластиной кремния и платиновым контрэлектродом. Добавка перекиси водорода в электролит на основе плавиковой кислоты и этанола позволяет управлять плотностью тока процесса и изготавливать фотолюминесцентные слои без применения внешнего источника тока.
  1. G. Gullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  2. A. Uhlir. Bell Syst. Techn. J., 35, 333 (1956); L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990); V. Lehmann, U. Goesele. Appl. Phys. Lett., 58, 856 (1991)
  3. R.M. Fathauer, T. George, A. Ksendzov, R.P. Vasquez. Appl. Phys. Lett., 60, 995 (1992); J.L. Coffer. In: Properties of Porous Silicon, ed. by L.T. Canham (London, INSPEC, 1997) ch. 1.3
  4. В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков. Электрохимия полупроводников (М., Наука, 1965) с. 28. [V.A. Myamlin, Yu.V. Pleskov. Electrochemistry of Semiconductors (N.Y., Plenum Press, 1967)]
  5. D. Brumhead, L.T. Canham, D.M. Seekings, P.J. Tufton. Electrochem. Acta, 38, 191 (1993)
  6. Д.Н. Горячев. Л.В. Беляков, О.М. Сресели. ФТП, 34, 1130 (2000)
  7. Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели. ФТП, 34, 1386 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.