Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электролитический способ приготовления пористого кремния с использованием внутреннего источника тока

Горячев Д.Н.¹, Беляков Л.В.¹, Сресели О.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 9 октября 2002 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Предложен новый способ получения пористого кремния, использующий в качестве источника тока разность потенциалов, которая возникает между погруженными в раствор электролита пластиной кремния и платиновым контрэлектродом. Добавка перекиси водорода в электролит на основе плавиковой кислоты и этанола позволяет управлять плотностью тока процесса и изготавливать фотолюминесцентные слои без применения внешнего источника тока.

G. Gullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
A. Uhlir. Bell Syst. Techn. J., 35, 333 (1956); L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990); V. Lehmann, U. Goesele. Appl. Phys. Lett., 58, 856 (1991)
R.M. Fathauer, T. George, A. Ksendzov, R.P. Vasquez. Appl. Phys. Lett., 60, 995 (1992); J.L. Coffer. In: Properties of Porous Silicon, ed. by L.T. Canham (London, INSPEC, 1997) ch. 1.3
В.А. Мямлин, Ю.В. Плесков. Электрохимия полупроводников (М., Наука, 1965) с. 28. [V.A. Myamlin, Yu.V. Pleskov. Electrochemistry of Semiconductors (N.Y., Plenum Press, 1967)]
D. Brumhead, L.T. Canham, D.M. Seekings, P.J. Tufton. Electrochem. Acta, 38, 191 (1993)
Д.Н. Горячев. Л.В. Беляков, О.М. Сресели. ФТП, 34, 1130 (2000)
Л.В. Беляков, Д.Н. Горячев, О.М. Сресели. ФТП, 34, 1386 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель