"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
3C-SiC p-n-структуры, полученные методом сублимации на основе подложек 6H-SiC
Лебедев А.А.1, Стрельчук А.М.1, Давыдов Д.В.1, Савкина Н.С.1, Трегубова А.С.1, Кузнецов А.Н.1, Соловьев В.А.1, Полетаев Н.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Методом сублимационной эпитаксии в вакууме на основе 6H-SiC выращены слои 3C-SiC n- и p-типа проводимости. На основе полученной эпитаксиальной p-n-структуры были сформированы диоды и проведены исследования их параметров методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик, методом DLTS и электролюминесценции. Показано, что характеристики исследованных диодов близки к характеристикам диодов на основе объемного 3C-SiC. Сделан вывод о применимости метода сублимационной эпитаксии для получения 3C-SiC p-n-структур на основе подложек других политипов карбида кремния.
  1. D.V. Davydov, A.A. Lebedev, A.S. Tregubova et. al. Mater. Sci. Forum, 338-- 342, 221 (2000)
  2. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг. ФТТ, 19, 1812 (1977)
  3. A.N. Andreev, A.S. Tregubova, M.P. Scheglov, A.L. Syrkin, V.E. Chelnokov. Mater. Sci. Eng., B46, 141 (1997)
  4. А.А. Лебедев, Г.Н. Мосина, И.П. Никитина, Н.С. Савкина, Л.М. Сорокин, А.С. Трегубова. Письма ЖТФ, 27, 57 (2001)
  5. J.I. Goldstein et al. Scanning Electron Microscopy and X-ray Microanalysis (N. Y., Plenum. Press. 1981)
  6. P. Zhou, M.G. Spenser, G.L. Harris, K. Fekade. Appl. Phys. Lett., 50, 1385 (1987)
  7. K. Zekentes, M. Kayambaki, G. Constantinidis. Appl. Phys. Lett., 66, 3015 (1995)
  8. A.M. Strel'chuk, V.S. Kiselev, S.E. Avramenko. Mater. Sci. Eng., B61-- 62, 437 (1999)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.