Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Формирование барьера в гетероструктуре <собственный окисел>--p-InSe. Электрические и фотоэлектрические свойства

Драпак С.И.¹, Орлецкий В.Б.¹, Ковалюк З.Д.¹, Нетяга В.В.¹

¹Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Institute of Materials Science Problems, National Academy of Sciences of Ukraine, Chernivtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 13 февраля 2002 г.

Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основе комплексного исследования электрических и фотоэлектрических свойств, а также шумовых характеристик гетероструктур <собственный окисел>-p-InSe прослежена динамика формирования барьера в зависимости от температурных и временных режимов окисления. Установлено, что в структурах, окисленных на протяжении =<sssim30 мин при T=400^oC, происходит формирование барьера. При увеличении времени окисления до 60 мин барьер в основном сформирован, причем пленка окисла двухслойная с различным химическим составом на поверхности и на границе раздела. Наибольшие значения отношения сигнал/шум получены при полуторачасовом окислении базового материала (T=400^oC) в основном из-за малых значений темнового тока, которые реализуются в таких структурах благодаря развитию достаточно однородной высокоомной прослойки. При окислении p-InSe более 100 мин состав окисла становится однородным, однако при этом изменяется тип проводимости базового полупроводника, что приводит к уменьшению высоты барьера, увеличению темнового тока и, как следствие, ухудшению фотоэлектрических параметров.

A. Koma. J. Cryst. Growth., 201--202, 236 (1999)
И.В. Боднарь, В.Ф. Гременок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33, 805 (1999)
В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Х. Шпунт. Письма ЖТФ, 25, 76 (1999)
H. Iwakuro, C. Tatsuyama, S. Ichimura. Jap. J. Appl. Phys., 21, 94 (1982)
I. Miyake, T. Tanpo, C. Tatsuyama. Jap. J. Appl. Phys., 23, 172 (1984)
В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк. Письма ЖТФ, 18, 70 (1992)
В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк, А.Д. Огородник. Неорг. матер., 32, 827 (1996)
O.A. Balitskii, R.V. Lutsiv, V.P. Savchun, J.M. Stakhira. Mater. Sci. Eng. B, 56, 5 (1998)
V.P. Savchun, J.M. Stakhira. Phys. St. Sol. (a), 156, 113 (1996)
В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк. Письма ЖТФ, 23, 1 (1997)
В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, А.В. Заслонкин. Письма ЖТФ, 25, 34 (1999)
J.M. Stakhira, V.P. Savchun, V.B. Kytsay. Mol. Phys. Rep., 23, 184 (1999)
V.P. Savchun, V.B. Kytsay. Thin Sol. Films, 361--362, 123 (2000)
O.A. Balitskii, N.N. Berchenko, V.P. Savchun, J.M. Stakhira. Mater. Cem. Phys., 65, 130 (2000)
В.Н. Катеринчук, З.Д. Ковалюк, Т.В. Беца, В.М. Каминский, В.В. Нетяга. Письма ЖТФ, 27, 62 (2001)
O.A. Balitskii, V.P. Savchun, V.O. Yukhymchuk. Semicond. Sci. Technol., 17, L1 (2002)
A, Chevy, A. Kuhn, M.-S. Martin. Cryst. Growth., 38, 118 (1977)
T. Nakao, T. Nakada, Y. Nakayama, K. Miyanati, Y. Kimura, Y. Saito, C. Saito. Thin Sol. Films, 370, 155 (2000)
A. Segura, J.P. Guesdon, J.M. Besson, A.J. Chevy. Appl. Phys., 54, 876 (1983)
П.Т. Орешкин. Физика полупроводников и диэлектриков (М., Высш. шк., 1977)
N.B. Lukyanchikova, A.A. Konoval, M.K. Sheinkman. Sol. St. Electron., 18, 65 (1975)
Н.Б. Лукъянчикова. Лит. физ. сб., 20, 25 (1980)
Н.Б. Лукъянчикова. Электронная промышленность, 6, 28 (1983)
C. Julien, M. Eddrief, M. Balkanski, E. Hatriricraniotis, K. Kambas. Phys. St. Sol., (a), 88, 687 (1985)
M.A. Lambert. Phys. Rev., 103, 1648 (1959)
C.M. Martinez-Tomaz, V. Munoz, M.V. Andres, A. Segura, A. Chevy. Condens. Matter., 91, 25 (1993)
В.Л. Бакуменко, В.Ф. Чишко. ФТП, 11, 2000 (1977)
Ю.А. Гольдберг, О.В. Иванова, Т.В. Львова, Б.В. Царенков. ФТП, 18, 1472 (1984)
А.А. Лебедев, А.А. Лебедев, Д.В. Давыдов. ФТП, 34, 113 (2000)
Z.D. Kovalyuk, V.B. Orletskii, I.M. Budzulyak, V.V. Netyaga. J. Phys. Studies, 5, 43 (2001)
Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы (М., Сов. радио, 1979)
В.И. Стриха. Контактные явления в полупроводниках (Киев, Высш. шк., 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель