"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сегрегация индия при выращивании квантовых ям InGaAs / GaAs в условиях газофазной эпитаксии
Дроздов Ю.Н.1, Байдусь Н.В.2, Звонков Б.Н.2, Дроздов М.Н.1, Хрыкин О.И.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 18 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

Исследовано распределение атомов индия в структурах с двойными квантовыми ямами InGaAs / GaAs, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Экспериментальные профили распределения индия были получены методом оже-электронной спектрометрии. Для вычисления профилей использовалась модель роста с учетом сегрегации индия и модель оже-профилирования. Согласование вычисленных и экспериментальных профилей позволило оценить энергии активации процессов обмена In--Ga в рамках кинетической модели сегрегации. Полученные значения оказались несколько выше, чем известные для молекулярно-пучковой эпитаксии, что связано со стабилизацией ростовой поверхности атомами водорода в газофазном реакторе.
  1. K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki. Appl. Phys. Lett., 61, 557 (1992)
  2. H. Toyoshima, T. Niwa, J. Yamazaki, A. Okmato. Appl. Phys. Lett., 63, 821 (1993)
  3. P. Yashar, M.R. Pillai, J. Mirecki-Millunchik, S.A. Barnett. J. Appl. Phys., 83, 2010 (1998)
  4. M.R. Pillai, S.-S. Kim, S.T. Ho, S.A. Barnett. J. Vac. Sci. Technol. B, 18, 1232 (2000)
  5. K.-J. Chao, N. Liu, C.-K. Shih. Appl. Phys. Lett., 75, 1703 (1999)
  6. O. Dehaese, X. Wallart, F. Mollot. Appl. Phys. Lett., 66, 52 (1995)
  7. Y.-J. Zheng, A.M. Lam, J.R. Engstrom. Appl. Phys. Lett., 75, 817 (1999)
  8. M. Sato, Y. Horikoshi. J. Appl. Phys., 69, 7697 (1991)
  9. F. Bugge, U. Zeimer, M. Sato, M. Weyers, G. Trankle. J. Cryst. Growth, 183, 511 (1998)
  10. A.A. Marmalyuk, O.I. Govorkov, A.V. Petrovsky, D.B. Nikitin, A.A. Padalitsa, P.V. Bulaev, I.V. Budkin, I.D. Zalevsky. Proc. 9th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 2001) p. 63
  11. S.Yu. Karpov, Yu.N. Makarov. Proc 9th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 2001) p. 47
  12. T.S. Yeoh, R.B. Swint, A.E. Huber, S.D. Roh, C.Y. Woo, K.E. Lee. Appl. Phys. Lett., 79,221 (2001)
  13. J.A. Gupta, S.P. Watkins, A.D. Crozier, J.C. Woicik, D.A. Harrison, D.T. Jiang, I.J. Pickering, B. A. Karlin. Phys. Rev. B, 61, 2073 (2000)
  14. Т.С. Бабушкина, Л.М. Батукова, Б.Н. Звонков, В.Н. Портнов. Изв. РАН. Сер. Неорг. матер., 28 (2), 299 (1992)
  15. А.А. Бирюков, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова, В.Я. Алешкин, В.Н. Шастин. Материалы совещания Нанофотоника" (Н. Новгород, 26--29 марта 2001) с. 98
  16. М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, Ю.Н. Дроздов, Д.В. Мастеров, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Письма ЖТФ, 22 (18), 61 (1996)
  17. S. Hoffman. Rep. Progr. Phys., 61, 827 (1998)
  18. Ю.Н. Дроздов, М.Н. Дроздов, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин, Д.В. Мастеров, Л.Д. Молдавская. Материалы совещания "Нанофотоника" (Н. Новгород, 20--23 марта 2000) с. 246
  19. J.M. Garcia, J.P. Silveira, F. Briones. Appl. Phys. Lett., 77, 409 (2000)
  20. Ю.Н. Дроздов, Н.В. Востоков, Д.М. Гапонова, В.М. Данильцев, М.Н. Дроздов, А.В. Мурель, О.И. Хрыкин, В.И. Шашкин. Тез. докл. 5-й Росс. конф. по физике полупроводников (Н. Новгород, 10--14 сент. 2001) т. 2, с. 324

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.