"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Токоперенос в диодных структурах Fe--p-InP
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Саморуков Б.Е.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

Исследован механизм токопрохождения в диодных структурах Fe--p-InP и его зависимость от освещения и магнитного поля. Показано, что двойная инжекция в дрейфовом приближении в высокоомный pi-слой является основным механизмом токопереноса. Обнаружены и обсуждены явления гашения прямого тока светом (отрицательный фотоответ) и резкого роста дифференциального сопротивления в магнитном поле.
  1. J. Cheng, S.R. Forrest, B. Tell, D. Wilt, B. Schwartz, P.D. Wright. J. Appl. Phys., 58, 1780 (1985)
  2. Г.Г. Ковалевская, С.В. Слободчиков, Г.М. Филаретова. ФТП, 17, 1991 (1983)
  3. М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1978) гл. 2
  4. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978) гл. 3
  5. E.V.K. Rao, M. Diamei, P. Kranz. J. Appl. Phys., 61, 4812 (1987)
  6. R. Baron. J. Appl. Phys., 39, 1435 (1968)
  7. G.P. Srivastava, P.K. Bhatnagar, S.R. Dhariwal. Sol. St. Electron., 22, 581 (1979)
  8. С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Е.М. Руссу, Ю.Г. Малинин. ФТП, 35, 479 (2001)
  9. D.J. Miller, J.J. Lobb. J. Appl. Phys. Lett., 65, 1391 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.