Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Токоперенос в диодных структурах Fe--p-InP
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 19 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.
Исследован механизм токопрохождения в диодных структурах Fe-p-InP и его зависимость от освещения и магнитного поля. Показано, что двойная инжекция в дрейфовом приближении в высокоомный pi-слой является основным механизмом токопереноса. Обнаружены и обсуждены явления гашения прямого тока светом (отрицательный фотоответ) и резкого роста дифференциального сопротивления в магнитном поле.
- J. Cheng, S.R. Forrest, B. Tell, D. Wilt, B. Schwartz, P.D. Wright. J. Appl. Phys., 58, 1780 (1985)
- Г.Г. Ковалевская, С.В. Слободчиков, Г.М. Филаретова. ФТП, 17, 1991 (1983)
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах (М., Мир, 1978) гл. 2
- Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Сов. радио, 1978) гл. 3
- E.V.K. Rao, M. Diamei, P. Kranz. J. Appl. Phys., 61, 4812 (1987)
- R. Baron. J. Appl. Phys., 39, 1435 (1968)
- G.P. Srivastava, P.K. Bhatnagar, S.R. Dhariwal. Sol. St. Electron., 22, 581 (1979)
- С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Е.М. Руссу, Ю.Г. Малинин. ФТП, 35, 479 (2001)
- D.J. Miller, J.J. Lobb. J. Appl. Phys. Lett., 65, 1391 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
