Физика и техника полупроводников
Вышедшие номера
Влияние ионизирующего облучения на распределение зарядов и пробой МОП-транзисторов
Александров О.В.1,2, Тяпкин Н.С.2, Мокрушина С.А.1,2, Фомин В.Н.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2АО "Светлана-Полупроводники", Санкт-Петербург, Россия
Email: Aleksandr_ov@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 сентября 2021 г.
В окончательной редакции: 18 октября 2021 г.
Принята к печати: 18 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 22 ноября 2021 г.

Исследовано влияние ионизирующего облучения на образование зарядов на внутренней SiO2-Si (подложка) и внешней SiO2-Sips (затвор) межфазных границах (МФГ) и на пробой затвора МОП-транзисторов. Показано, что с увеличением дозы ионизирующего облучения вблизи внутренней межфазной границы в p- МОП-транзисторах наблюдается монотонный рост положительного заряда, а в n- МОП-транзисторах - накопление сначала положительного, а при дозах свыше 105 рад - отрицательного заряда. Вблизи внешней межфазной границы при малых дозах облучения наблюдается накопление положительного заряда, а при дозах > 106 рад - накопление отрицательного заряда как в p-, так и n- МОП-транзисторах. Вплоть до дозы 108 рад ионизирующее облучение не оказывает заметного влияния на напряжение пробоя затвора как в p-, так и в n- МОП-транзисторах при обеих полярностях смещения. Отсутствие влияния объясняется пробоем по механизму анодной дырочной инжекции. Ключевые слова: ионизирующее облучение, МОП-транзистор, накопление заряда, пробой затвора.
  1. К.И. Таперо, В.Н. Улимов, А.М. Членов. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения (М., БИНОМ, Лаборатория знаний, 2012)
  2. T.R. Oldham. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50, 483 (2003)
  3. В.С. Першенков, В.Д. Попов, А.В. Шальнов. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС (М., Энергоатомиздат, 1988)
  4. Ф.П. Коршунов, Ю.В. Богатырев, В.А. Вавилов. Воздействие радиации на интегральные микросхемы (Минск, Наука и техника, 1986)
  5. D.M. Fleetwood. Appl. Phys. Lett., 55, 466 (1989)
  6. A. Paccagnella, A. Candelori, A. Milani, E. Formigoni, G. Ghddini, F. Pellizzer, D. Drera, P.G. Fuochi, M. Lavale. IEEE Trans. Nucl. Sci., 43, 2609 (1996)
  7. N. Klein. Thin Sol. Films, 50, 223 (1978)
  8. M.V. Fischetti. Phys. Rev. B, 31, 2099 (1985)
  9. О.В. Александров. ФТП, 51, 1105 (2017)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.