"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
МДП транзистор на основе пленки PbSnTe : In с подзатворным диэлектриком Al2O3*
РФФИ, 20-02-00324
Климов А.Э. 1,2, Голяшов В.А.1,3, Горшков Д.В.1, Матюшенко Е.В.1, Неизвестный И.Г.1,2, Сидоров Г.Ю.1, Пащин Н.С.1, Супрун С.П.1, Терещенко О.Е.1,3
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: klimov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 22 ноября 2021 г.

Приведены результаты работы по созданию и исследованию свойств структур транзисторного типа металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленок PbSnTe : In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с тонкопленочным подзатворным диэлектриком Al2O3. Исследованы исток-стоковые вольт-амперные характеристики и затворные характеристики структур при температуре T=4.2 K. Показано, что в структурах металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленок PbSnTe : In с концентрацией n~1017 см-3 при T=4.2 K модуляция тока канала достигает 7-8% в области затворных напряжений -10<Ugate<+10 В. Рассмотрены особенности вольт-амперных характеристик исток-сток и затворных характеристик при импульсном и пилообразном изменении напряжения на затворе Ugate. Ключевые слова: твердый раствор PbSnTe : In, эффект поля, МДП структура, Al2O3.
  1. C.C. Wang, M.H. Kalisher, J.M. Tracy, J.E. Clarke, J.T. Longo. Solid-State Electron., 21, 625 (1978)
  2. V.V. Teterkin, V.B. Alenberg, F.F. Sizov, E.V. Susov, Iu.G. Troian. Infr. Phys., 30, 499 (1990)
  3. R. Behrendt, R. Wendlandt. Phys. Status Solidi A, 61, 373 (1980)
  4. D.A. Lilly, D.E. Joslin, H.K. Kan. Infr. Phys., 18, 51 (1978)
  5. B.M. Vul, I.D. Voronova, G.A. Kalyuzhnaya, T.S. Mamedov, T.S. Ragimova. Phys. Rev. Lett., 26, 1193 (1966)
  6. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 172, 875 (2002)
  7. B.A. Volkov, O.A. Pankratov. JETP Letters, 42, 145 (1985)
  8. M.Z. Hasan, C.L. Kane. Rev. Mod. Phys., 82, 3045 (2010)
  9. T.H. Hsieh, H. Lin, J. Liu, W. Duan, A. Bansil, L. Fu. Nature Commun., 3, 982 (2012)
  10. S.-Y. Xu, C. Liu, N. Alidoust, M. Neupane, D. Qian, I. Belopolski, J.D. Denlinger, Y.J. Wang, H. Lin, L.A. Wray et al. Nature Commun., 3, 1192 (2012)
  11. C. Yan, J. Liu, Y. Zang, J. Wang, Z. Wang, P. Wang, Z. Zhang, L. Wang, X. Ma, S. Ji et al. Phys. Rev. Lett., 112, 186801 (2014)
  12. А.Э. Климов, А.Н. Акимов, И.О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д.В. Горшков, Д.В. Ищенко, Е.В. Матюшенко, И.Г. Неизвестный, Г.Ю. Сидоров, С.П. Супрун, А.С. Тарасов, О.Е. Терещенко, В.С. Эпов. ФТП, 54, 1122 (2020)
  13. E.V. Fedosenko, A.E. Klimov, D.V. Krivopalov, I.G. Neizvestny, N.I. Petikov, M.A. Torlin, V.N. Shumsky. Appl. Surf. Sci., 78, 413 (1994)
  14. O.E. Tereshchenko, S.I. Chikichev, A.S. Terekhov. J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 2655 (1999)
  15. A.H. Seltzman, S. Wukitch. Fusion Engin. and Design, 147,  111226 (2019)
  16. A.E. Klimov, V.N. Shumsky, V.V. Kubarev. Ferroelectrics, 347, 111 (2007)
  17. A.E. Klimov, V.N. Sherstyakova, V.N. Shumsky. Ferroelectrics, 378, 101 (2009)
  18. A.E. Klimov, V.N. Shumsky. Physica B, 404, 5028 (2009)
  19. A.E. Klimov, V.S. Epov. JETP Letters, 106, 446 (2017)
  20. A.N. Akimov, V.S. Epov, A.E. Klimov, V.V. Kubarev, N.S. Paschin. J. Phys.: Conf. Ser., 946, 012016 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.