Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 2 » Статья стр. 254
<<<
Облучение ионами аргона Cr/4H-SiC-фотоприемников
DOI: 10.21883/FTP.2022.02.51971.9745
Калинина Е.В.1, Кудояров М.Ф.1, Никитина И.П.1, Дементьева Е.В.1, Забродский В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: evk@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 16 октября 2021 г.
В окончательной редакции: 5 ноября 2021 г.
Принята к печати: 5 ноября 2021 г.
Выставление онлайн: 22 ноября 2021 г.
PDF версия
Представлены результаты влияния облучения ионами Ar на структурные, электрофизические и оптические характеристики ультрафиолетовых Cr/4H-SiC-фотоприемников спектрального диапазона 200-400 нм. После однократного облучения ионами Ar с энергией 53 МэВ флюенсом 1·1010 см-2 значения квантовой эффективности фотоприемников практически оставались на уровне исходных образцов за счет "эффекта геттерирования" простых радиационных дефектов кластерными образованиями. Наблюдаемый эффект способствовал уменьшению количества простых радиационных дефектов вакансионного типа, росту времени жизни носителей тока и, как следствие, неизменным значениям фотопроводимости Cr/4H-SiC-фотоприемников. После повторного облучения фотоприемников ионами Ar общим флюенсом 2·1010 см-2 наблюдался распад кластеров, образование значительного количества простых дефектных центров, что приводило к снижению времени жизни носителей тока и фотопроводимости Cr/4H-SiC-детекторов. Ключевые слова: карбид кремния, облучение, аргон, квантовая эффективность.
  1. Е.В. Калинина, М.Ф. Кудояров, И.П. Никитина, Е.В. Дементьева, В.В. Забродский. ФТП, 54 (11), 1244 (2020)
  2. C. Hemmingsson, N.T. Son, O. Kordina, J.P. Bergman, E. Janzen, J.L. Lindstrom. J. Appl. Phys., 81, 6155 (1997)
  3. V. Nagest, J.W. Farmer, R.F. Davis, H.S. Kong. Appl. Phys. Lett., 50, 1138 (1987)
  4. D.M. Martin, H. Kortegaard Nielsen, P. Leveque, A. Hallen. Appl. Phys. Lett., 84, 1704 (2004)
  5. Е.В. Калинина, В.Г. Коссов, Р.Р. Яфаев, А.М. Стрельчук, Г.Н. Виолина. ФТП, 44 (6), 807 (2010)
  6. Е.В. Калинина, А.А. Лебедев, Е. Богданова, B. Berenquier, L. Ottaviani, Г.Н. Виолина, В.А. Скуратов. ФТП, 49 (4), 550 (2015)
  7. Е.В. Калинина, Г.Н. Виолина, И.П. Никитина, М.Я. Яговкина, Е.В. Иванова, В.В. Забродский. ФТП, 53 (6), 856 (2019)
  8. F.L. Wong, N.W. Cheung, P.K. Chu. Appl. Phys. Lett., 152, 889 (1988)
  9. В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов. Геттерирование примесей и дефектов в полупроводниках (Н. Новгород, Изд-во Нижегород. гос. ун-та, 2002) ч. 1, гл. 3
  10. M. Ikeda, H. Matsunami. Phys. Status Solidi A, 58, 657 (1980)
  11. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, В.И. Соколов. ФТП, 20, 2153 (1986)
  12. W.J. Choyke. In: Proc. Int. Conf. on Radiation Effects in Semiconductors (IOP Conf. Proc. Institute of Physics and Physical Society, London, 1977) p. 58
  13. Е.В. Калинина, Г.Ф. Холуянов, Г.А. Онушкин, Д.В. Давыдов, А.М. Стрельчук, А.О. Константинов, А. Hallen, А.Ю. Никифоров, В.А. Скуратов, K. Havancsak. ФТП, 38 (10), 1223 (2004)
  14. T.V. Blank, Y.A. Goldberg, O.V. Konstantinov. Nucl. Instrum Meth. Phys. Res. A, 509, 109 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme