Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 1 » Статья стр. 22
<<<>>>
Сканирующая туннельная микроскопия в халькогенидных термоэлектриках (Bi, Sb)2(Te, Se, S)3
DOI: 10.21883/FTP.2022.01.51806.22
The Russian Foundation for Basic Research , Competition for the best projects of fundamental scientific research for 2020. Competition code: a, 20-08-00464
Лукьянова Л.Н. 1, Макаренко И.В. 1, Усов О.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lidia.lukyanova@mail.ioffe.ru, igor.makarenko@mail.ioffe.ru, oleg.usov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 сентября 2021 г.
В окончательной редакции: 24 сентября 2021 г.
Принята к печати: 24 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.
PDF версия
Исследования морфологии межслоевой поверхности (0001) были проведены методом сканирующей туннельной микроскопии в твердых растворах n-Bi1.6Sb0.4Te2.94Se0.06, n-Bi1.8Sb0.2Te2.82Se0.09S0.09, p-Bi0.8Sb1.2Te2.91Se0.09 и p-Bi0.7Sb1.3Te2.91Se0.09. На поверхности (0001) были обнаружены примесные и собственные дефекты (вакансии теллура, антиструктурные дефекты, адатомы), образующиеся в исследуемых составах вследствие замещения атомов в подрешетках Bi2Te3. Определены средние значения HM и среднеквадратичные отклонения HS по высоте в распределении атомов на поверхности в зависимости от состава твердого раствора. Установлено влияние обнаруженных дефектов на термоэлектрические свойства твердых растворов. Ключевые слова: теллурид висмута, твердые растворы, сканирующая туннельная микроскопия, примесные и собственные дефекты, коэффициент Зеебека.
  1. J. Heremans, R. Cava, N. Samarth. Nature Rev. Mater., 2, 17049 (2017)
  2. D. Baldomir, D. Fai lde. Sci. Rep., 9, 6324 (2019)
  3. N. Xu, Y. Xu, J. Zhu. npj Quant. Mater., 2, 51 (2017)
  4. Z. Alpichshev, J.G. Analytis, J.-H. Chu, I.R. Fisher, Y.L. Chen, Z.X. Shen, A. Fang, A. Kapitulnik. Phys. Rev. Lett., 104, 016401 (2010)
  5. X. He, H. Li, L. Chen, K. Wu. Sci. Rep., 5, 8830 (2015)
  6. A. Hashibon, C. Elsaasser, Phys. Rev. B, 84, 144117 (2011)
  7. S. Jia, H. Beidenkopf, I. Drozdov, M.K. Fuccillo, J. Seo, J. Xiong, N.P. Ong, A. Yazdani, R.J. Cava. Phys. Rev. B, 86, 165119 (2012)
  8. P.-Yu. Chuang, S.-H. Su, C.-W. Chong, Y.-F. Chen, Yu.-H. Chou, J.-C.-A. Huang, W.-C. Chen, C.-M. Cheng, K.-D. Tsuei, C.-H. Wang, Y.-W. Yang, Y.-F. Liao, S.-C. Weng, J.-F. Lee, Y.-K. Lan, S.-L. Chang, C.-H. Lee, C.-K. Yang, H.-L. Suh, Yu-C. Wu. RSC Adv., 8, 423 (2018)
  9. H. Beidenkopf, P. Roushan, J. Seo, L. Gorman, I. Drozdov, Y.S. Hor, R.J. Cava, A. Yazdani. Nature Phys., 7, 939 (2011)
  10. M.T. Edmonds, J.L. Collins, J. Hellerstedt, I. Yudhistira, L.C. Gomes, J.N.B. Rodrigues, S. Adam, M.S. Fuhrer. Sci. Adv., 3, eaao6661 (2017)
  11. T. Knispel, W. Jolie, N. Borgwardt, J. Lux, Z. Wang, Y. Ando, A. Rosch, T. Michely, M. Gruninger. Phys. Rev. B, 96, 195135 (2017)
  12. W. Ko, J. Park, I. Jeon, H.W. Kim, H. Kwon, Y. Oh, J.S. Kim, H. Suh, S.W. Hwang, C. Chung. Appl. Phys. Lett., 108, 083109 (2016)
  13. H. Nam, Y. Xu, I. Miotkowski, J. Tian, Y.P. Chen, C. Liu, C.K. Shih. J. Phys. Chem. Solids, 128, 251 (2019)
  14. T. Zhu, L. Hu, X. Zhao, J. He. Adv. Sci., 3 (7), 1600004 (2016)
  15. Л.Н. Лукьянова, О.А. Усов, М.П. Волков. ФТП, 53 (5), 626 (2019)
  16. J.C. Slater. J. Chem. Phys., 41, 3199 (1964)
  17. V.A. Kutasov, L.N. Lukyanova, M.V. Vedernikov. 2006 Shifting the maximum figure-of-merit of (Bi, Sb)2(Te, Se)3 thermoelectrics to lower temperatures, pp. 37-1--37-18, in the Thermoelectrics Handbook: Macro to Nano, ed. by D.M. Rowe (Boca Raton, FL: CRC Press, 2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme