Разработка технологии высокопрочных термоэлектриков диаметром до 35 мм на основе поликристаллов Bi2Te3 методом горячей экструзии
Сорокин А.И.1, Иванцов М.С.1, Табачкова Н.Ю.1, Бублик В.Т.1, Скипидаров С.Я.1, Дашевский З.М.1
1ООО "РусТек", Москва, Россия
Email: almaz_gx@mail.ru
Поступила в редакцию: 18 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 25 августа 2021 г.
Принята к печати: 25 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.
Получение термоэлектрических материалов на основе халькогенидов висмута и сурьмы в виде прутков больших диаметров методом горячей экструзии связано с проблемой сохранения текстуры деформации в них как по длине, так и по сечению. В работе впервые представлены поликристаллы на основе Bi2Te3 n- и p-типа проводимости диаметром до 35 мм, полученные этим методом. Проведены детальные исследования структурных свойств. Измерены механические (предел прочности) и термоэлектрические характеристики (коэффициент термоэдс, электропроводность и термоэлектрическая добротность) экструдированных образцов. Полученные поликристаллы n- и p-типа проводимости диаметром 35 мм по термоэлектрическим и механическим свойствам не уступают промышленно выпускаемым поликристаллам диаметром 25 мм. Ключевые слова: термоэлектричество, Bi2Te3, экструзия, термоэлектрические свойства, механические свойства.
- N. Bomshtein, G.G. Spiridonov, Z. Dashevsky, Y. Gelbstein. J. Electron. Mater., 41, 1546 (2012)
- L.V. Prokofieva, D.A. Pshenai-Severin, P.P. Konstantinov, A.A. Shaldin. Semiconductors, 43, 973 (2009)
- P.P. Konstantinov, L.V. Prokofieva, M.I. Fedorov, D.A. Pshenai-Severin, Yu.I. Ravich, V.V. Kompaniets. Semiconductors, 39, 1023 (2005)
- M.G. Lavrenteav, A.I. Sorokin, D.A. Pshenai-Severin, V.D. Blank, G.I. Pivivarov, V.T. Bublik, N.Yu. Tabachkov. J. Electron. Mater., 42, 2110 (2013)
- A.P. Goncalves, C. Godart. New Materials for Thermoelectric Applications: Theory and Experiment (Springer, N. Y., 2013) p. 1
- D.M. Rowe. Thermoelectric Handbook: Macro to Nano (CRC Press, Boca Raton, 2005)
- Б.М. Гольцман, В.А. Кудинов, И.А. Смирнов. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на оcнове Bi2Te3 (М., Наука, 1972)
- Z. Dashevsky, S. Skipidarov. Novel Thermoelectric materials and Device Design Concepts (Springer, N. Y., 2019) p. 3
- J. Herremans, B. Wiendliocha. Aspect of Thermoelectricity (CRS Press, Boca Raton, 2016) p. 39
- O. Ben-Yehuda, R. Shuker, Y. Gelbstein, Z. Dashevsky, M.P. Dariel. J. Appl. Phys., 101, 113707 (2007)
- R.A. Masut, C. Andre, D. Vasilevskiy, S. Turenne. J. Appl. Phys., 128, 115106 (2020)
- M.G. Lavrentev, I.A. Drabkin, L.V. Ershova, M.P. Volkov. J. Electron. Mater., 49, 2937 (2020)
- M.Maksymuk, T. Parashchuk, B. Dzundza, L. Nykyruy, L. Chernyak, Z. Dashevsky. J. Materials Today Energy, 21, 100753 (2021)
- T.C. Harman. Appl. Phys. Lett., 129, 1373 (1958)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.