"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотонные кристаллы BaTiO3/SiO2, сформированные золь-гель методом
Гапоненко Н.В.1,2, Холов П.А.1,3, Корнилова Ю.Д.1, Лашковская Е.И.1, Лабунов В.А.1,2, Мартынов И.Л.2, Осипов Е.В.2, Чистяков А.А.2, Каргин Н.И.2, Райченок Т.Ф.4, Тихомиров С.А.4
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3Физико-технический институт им. С.У. Умарова АН Таджикистана, Душанбе, Таджикистан
4Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
Email: nik@nano.bsuir.edu.by
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.

Впервые показано, что многослойные периодические структуры BaTiO3/SiO2, сформированные золь-гель методом, являются перестраиваемыми фотонными кристаллами c зависимостью фотонной запрещенной зоны от температуры образца. Сдвиг минимума в спектре отражения в области фотонной запрещенной зоны наблюдается от 616 до 610 нм в диапазоне температур образца от +184 до +24oС соответственно и воспроизводится для нескольких образцов, синтезированных при температуре 450oС. Ключевые слова: золь-гель, титанат бария, перестраиваемый фотонный кристалл.
  1. K. Busch, S. John. Phys. Rev. Lett., 83, 967 (1999)
  2. V.G. Golubev, V.Yu. Davydov, N.F. Kartenko, D.A. Kurdyukov, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, A.V. Scherbakov, E.B. Shadrin. Appl. Phys. Lett., 79, 2127 (2001)
  3. Ji Zhou, C.Q. Sun, K. Pita, Y.L. Lam, Y. Zhou, S.L. Ng, C.H. Kam, L.T. Li, Z.L. Gui. Appl. Phys. Lett., 78, 661 (2001)
  4. S.V. Gaponenko. Introduction to Nanophotonics (Cambridge, Cambridge University Press, 2010)
  5. N.V. Gaponenko, P.A. Kholov, K.S. Sukalin, T.F. Raichenok, S.A. Tikhomirov, R. Subasri, K.R.C. Soma Raju, A.V. Mudryi. Phys. Solid State, 61, 397 (2019)
  6. Yu.D. Karnilava, P.A. Kholov, N.V. Gaponenko, T.F. Raichenok, S.A. Tikhomirov, I.L. Martynov, E.V. Osipov, A.A. Chistyakov, N.I. Kargin. Int. J. Nanosci., 18, 1940044 (2019)
  7. N.V. Gaponenko, P.A. Kholov, T.F. Raichenok, S.Ya. Prislopski. Орtical Mater., 96, 109265 (2019)
  8. N. Arnold, R. Schmitt, K. Heime. J. Phys. D, 17, 443 (1984)
  9. V.E. Borisenko, P.J. Hesketh. Rapid Thermal Processing Semiconductors (N. Y., Springer US, 1997)
  10. M. Benatsou, B. Capoen, M. Bouazaoui, W. Tchana, J.P. Vilcot. Appl. Phys. Lett.,  71, 428 (1997)
  11. R.E. Rojas-Hernandez, L.F. Santos, R.M. Almeida. Optical Mater., 83, 61 (2018)
  12. A. Karvounis, F. Timpu, V.V. Vogler-Neuling, R. Romolo Savo, R. Grange. Adv. Optical Mater., 8, 2001249 (2020)
  13. I.L. Martynov, E.V. Osipov, G.E. Kotkovskii, I.S. Kryukova, Yu.A. Kuzischcin, A.A. Chistyakov. Proc. SPIE, 4, 10802 (2018)
  14. C.W. Nam, S.I. Woo. Thin Sol. Films, 237, 314 (1994)
  15. M. Kuisl. Thin Sol. Films 157, 129 (1988)
  16. N.I. Staskov, A.B. Sotsky, S.S. Miheev, N.V. Gaponenko, P.A. Kholov, T.F. Raichenok. J. Appl. Spectrosc., 87, 1050 (2021)
  17. D. Dovzhenko, Y. Martynov, P. Samokhvalov, E. Osipov, Lednev, M.A. Chistyakov, A. Karaulov, I. Nabiev. Opt. Expess, 28, 22705 (2020)
  18. Y. Ji, M. Wang, Z. Yang, H. Qiu, S. Ji, J. Dou, N.V. Gaponenko. Nanoscale, 12, 6403 (2020)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.