Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2021, выпуск 10 » Статья стр. 908
<<<>>>
Начальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке
DOI: 10.21883/FTP.2021.10.51442.41
Бессолов В.Н.1, Коненкова Е.В.1, Орлова T.А.1, Родин С.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lena.triat@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.
PDF версия
Методом растровой электронной микроскопии изучались начальные стадии формирования полуполярных AlN(1011) и AlN(1012) слоев при эпитаксии из металлоорганических соединений на подложке Si(100), на поверхности которой сформирована V-образная наноструктура с размером элементов <100 нм (подложка-NP-Si(100)). Показано, что на начальной стадии эпитаксии на подложке-NP-Si(100) происходит формирование зародышевых кристаллов AlN, а затем в зависимости от кристаллографической ориентации V-стенок формируются кристаллы, ограненные плоскостями AlN(1011) на Si(111) или AlN(1012) на Si(111), разориентированном в направлении [110] на 7o. Ключевые слова: полуполярный нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния.
  1. T. Wang. Semicond. Sci. Technol., 31, 093003 (2016)
  2. M. Yang, W. Wang, Y. Lin, W. Yangand, G. Li. Mater. Lett., 182, 277 (2016)
  3. F. Scholz, T. Meisch, K. Elkhouly. Phys. Status Solidi A, 213, 3117 (2016)
  4. A. Bourret, A. Barski, J.L. Rouviere, G. Renaud, A. Barbier. J. Appl. Phys., 83, 2003 (1998)
  5. N. Sawaki, T. Hikosaka, N. Koide, S. Tanaka, Y. Honda, M. Yamaguchi. J. Cryst. Growth, 311, 2867 (2009)
  6. T. Tanikawa, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, N. Sawaki. Phys. Status Solidi С, 5 (9), 2966 (2008)
  7. J.-M. Liu, J. Zhang, W.-Y. Lin, M.-X. Ye, X.-X. Feng, D.-Y. Zhang, S. Dinga, Ch.-K. Xu, B.-L. Liu. Chin. Phys. B, 24, 57801 (2015)
  8. В.Н. Бессолов, М.Е. Компан, Е.В. Коненкова, В.Н. Пантелеев. Письма ЖТФ, 46 (2), 12 (2020)
  9. В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, С.Н. Родин, Д.С. Кибалов, В.К.Смирнов. ФТП, 55 (4), 356 (2021)
  10. Q. Bao, T. Zhu, N. Zhou, S. Guo, J. Luo. J. Cryst. Growth, 419, 52 (2015)
  11. X.H. Liu, J.C. Zhang, J. Huang, M.M. Yang, X.J. Su, B.B. Ye, J.F. Wang, J.P. Zhangand, K. Xu. Mater. Express, 6, 367 (2016)
  12. H.-J. Leea, S.-Y. Baeb, K. Lekhalb, A. Tamuraa, T. Suzukia, M. Kushimotoa, Y. Hondab, H. Amano. J. Cryst. Growth, 468, 547 (2017)
  13. L. Zhang, J. Wu, F. Liu, T. Han, X. Zhu, M. Li, Q. Zhao, T.J. Yu. CrystEngComm, (2021). DOI: 10.1039/D1CE00040C (to be published)
  14. V.K. Smirnov, D.S. Kibalov, O.M. Orlov, V.V. Graboshnikov. Nanotechnology, 14, 709 (2003)
  15. V. Bessolov, E. Konenkova, S. Konenkov, S. Rodin, N. Seredova. J. Phys.: Conf. Ser., 1697, 012099 (2020)
  16. А.Н. Фурс. Кристаллография, 64 (4), 606 (2019)
  17. T. Liu, J. Zhang, X. Su, J. Huang, J. Wang, K. Xu. Sci. Rep., 6, 26040 (2016)
  18. C. Bayram, J.A. Ott, K.-T. Shiu, Ch.-W. Cheng, Y. Zhu, J. Kim, M. Razeghi, D.K. Sadana. Adv. Funct. Mater., 24 (28), 4492 (2014)
  19. R. Liu, F.A. Ponce, A. Dadgar, A. Krost. Appl. Phys. Lett., 83, 860 (2003)
  20. L. Huang, Y. Li, W. Wang, X. Li, Y. Zheng, H. Wang, G. Li. Appl. Surf. Sci., 435, 163 (2018)
  21. X.G. Banal, M. Funato, Y. Kawakami. Phys. Status Solidi C, 6 (2), 599 (2009)
  22. V. Jindala, F. Shahedipour-Sandvik. J. Appl. Phys., 105, 084902 (2009)
  23. V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, S.N. Rodin. Rev. Adv. Mater. Sci., 38, 75 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme