"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Кремниевый металл-оксид-полупроводник транзистор с зависимым контактом к карману и двухслойным поликремниевым затвором
Шоболова Т.А.1, Мокеев А.С.1, Рудаков С.Д.1, Оболенский С.В.1,2, Шоболов Е.Л.1
1Филиал "Российского федерального ядерного Всероссийского научно-исследовательского института экспериментальной физики" "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: shobolova.ta@mail.ru, obolensk@rf.unn.ru, shelv@inbox.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.

Проведено сравнение характеристик двух вариантов конструктивно-технологического исполнения кремниевого МОП-КНИ транзистора с контактом к подложке, совмещенным с истоком, с одним и двумя слоями поликремниевого затвора. По результатам численного моделирования показано, что транзисторы с двухслойным поликремниевым затвором имеют повышенную надежность, быстродействие и стойкость к ионизирующему излучению. Предложена самосовмещенная технология изготовления транзистора с зависимым контактом к карману и с двухслойным поликремниевым затвором, позволяющая реализовать транзисторы с большим отношением ширины к длине затвора (до 100 и более). Описанные конструктивно-технологические особенности изготовления транзистора дают возможность дополнительного управления каналом транзистора, улучшают его характеристики и расширяют область применения. Ключевые слова: МОП-транзистор, КНИ, двухслойный поликремний, зависимый контакт к карману, "широкий" транзистор.
  1. Патент US 6960810 B2, P. Fechner, Honeywell International Inc., Self-aligned body tie for a partially depleted SOI device structure, 2005
  2. Патент US 6154091 A, H01L, J.P. Pennings, G.E. Smith, M.H. Wood, SOI sense amplifier with body contact structure, 1999
  3. К.О. Петросянц, Д.А. Попов, Д.В. Быков. Электроника, 22, 569 (2017)
  4. Т.А. Шоболова, Ю.А. Кабальнов, С.В. Оболенский. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводники, 3 (258), 34 (2020)
  5. C. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.