Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Кремниевый металл-оксид-полупроводник транзистор с зависимым контактом к карману и двухслойным поликремниевым затвором
1Филиал "Российского федерального ядерного Всероссийского научно-исследовательского института экспериментальной физики" "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: shobolova.ta@mail.ru, obolensk@rf.unn.ru, shelv@inbox.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.
Проведено сравнение характеристик двух вариантов конструктивно-технологического исполнения кремниевого МОП-КНИ транзистора с контактом к подложке, совмещенным с истоком, с одним и двумя слоями поликремниевого затвора. По результатам численного моделирования показано, что транзисторы с двухслойным поликремниевым затвором имеют повышенную надежность, быстродействие и стойкость к ионизирующему излучению. Предложена самосовмещенная технология изготовления транзистора с зависимым контактом к карману и с двухслойным поликремниевым затвором, позволяющая реализовать транзисторы с большим отношением ширины к длине затвора (до 100 и более). Описанные конструктивно-технологические особенности изготовления транзистора дают возможность дополнительного управления каналом транзистора, улучшают его характеристики и расширяют область применения. Ключевые слова: МОП-транзистор, КНИ, двухслойный поликремний, зависимый контакт к карману, "широкий" транзистор.
- Патент US 6960810 B2, P. Fechner, Honeywell International Inc., Self-aligned body tie for a partially depleted SOI device structure, 2005
- Патент US 6154091 A, H01L, J.P. Pennings, G.E. Smith, M.H. Wood, SOI sense amplifier with body contact structure, 1999
- К.О. Петросянц, Д.А. Попов, Д.В. Быков. Электроника, 22, 569 (2017)
- Т.А. Шоболова, Ю.А. Кабальнов, С.В. Оболенский. Электрон. техн., сер. 2, Полупроводники, 3 (258), 34 (2020)
- C. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
