Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Двумерный полуметалл в широких квантовых ямах HgTe: энергетический спектр носителей и магнитотранспорт

Германенко А.В.¹, Миньков Г.М.², Рут О.Э.¹, Шерстобитов А.А.², Дворецкий С.А.³, Михайлов Н.Н.³

¹Институт естественных наук, Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
²Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия M.N. Mikheev Institute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

M.N. Mikheev Institute of Metal Physics, Ural Branch, Russian Academy of Sciences, Yekaterinburg, Russia

³Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

PDF версия

Представлены результаты экспериментальных исследований магнитосопротивления, эффекта Холла и эффекта Шубникова-де-Гааза, выполненных на полупроводниковых гетероструктурах с одиночной квантовой ямой бесщелевого полупроводника HgTe шириной 20.2 нм. Исследования проведены на образцах с полевым электродом в широком диапазоне концентраций и дырок. Анализ экспериментальных данных позволил реконструировать энергетический спектр электронов и дырок вблизи экстремумов подзон размерного квантования. Показано, что закон дисперсии носителей заряда в исследованных системах отличается от закона, рассчитанного в рамках стандартной kp-модели.

L.G. Gerchikov, A. Subashiev. Phys. Status Solidi B, 160, 443 (1990)
B.A. Bernevig, T.L. Hughes, S.-C. Zhang. Science, 314, 1757 (2006)
М.И. Дьяконов, А.В. Хаецкий. ЖЭТФ, 82, 1584 (1982) [Sov. Phys. JETP, 55, 917 (1982)]
G. Landwehr, J. Gerschutz, S. Oehling, A. Pfeuffer-Jeschke, V. Latussek, C.R. Becker. Physica E, 6, 713 (2000)
X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, K. Ortner, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 65, 045 324 (2002)
K. Ortner, X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, C.R. Becker, G. Landwehr, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 66, 075 322 (2002)
X.C. Zhang, K. Ortner, A. Pfeuffer-Jeschke, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 69, 115 340 (2004)
M. Konig, S. Wiedmann, C. Brune, A. Roth, H. Buhmann, L.W. Molenkamp, X.-L. Qi, S.-C. Zhang. Science, 318, 766 (2007)
G.M. Gusev, Z.D. Kvon, O.A. Shegai, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, J.C. Portal. Phys. Rev. B, 84, 121 302 (2011)
Z.D. Kvon, E.B. Olshanetsky, E.G. Novik, D.A. Kozlov, N.N. Mikhailov, I.O. Parm, S.A. Dvoretsky. Phys. Rev. B, 83, 193 304 (2011)
G. Tkachov, E.M. Hankiewicz. Phys. Rev. B, 84, 035 444 (2011)
J.W. Nicklas, J.W. Wilkins. Phys. Rev. B, 84, 121 308 (2011)
P.M. Ostrovsky, I.V. Gornyi, A.D. Mirlin. Phys. Rev. B, 86, 125 323 (2012)
M.S. Zholudev, A.V. Ikonnikov, F. Teppe, M. Orlita, K.V. Maremyanin, K.E. Spirin, V.I. Gavrilenko, W. Knap, S.A. Dvoretskiy, N.N. Mihailov. Nanoscale Res. Lett., 7, 534 (2012)
А.А. Грешнов, Ю.Б. Васильев, Н.Н. Михайлов, Г.Ю. Васильев, Д. Смирнов. Письма ЖЭТФ, 97, 108 (2013)
V.A. Larionova, A.V. Germanenko. Phys. Rev. B, 55, 13 062 (1997)
X.C. Zhang, A. Pfeuffer-Jeschke, K. Ortner, V. Hock, H. Buhmann, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 63, 245 305 (2001)
E.G. Novik, A. Pfeuffer-Jeschke, T. Jungwirth, V. Latussek, C.R. Becker, G. Landwehr, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 72, 035 321 (2005)
Б.М. Аскеров. Электронные явления переноса в полупроводниках (М., Наука, 1985)
M. Schultz, U. Merkt, A. Sonntag, U. Rossler, R. Winkler, T. Colin, P. Helgesen, T. Skauli, S. Lovold. Phys. Rev. B, 57, 14 772 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель