"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Квантовый транспорт в полупроводниковом нанослое с учетом поверхностного рассеяния носителей заряда
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Конкурс на лучшие проекты фундаментальных научных исследований, выполняемые молодыми учеными, обучающимися в аспирантуре («Аспиранты»), 19-32-90008
Кузнецова И.А. 1, Савенко О.В. 1, Романов Д.Н. 1
1Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия
Email: kuz@uniyar.ac.ru, o.savenko@uniyar.ac.ru, romanov.yar357@mail.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июня 2021 г.

Решена задача об электропроводности тонкого проводящего нанослоя с учетом квантовой теории процессов переноса. Толщина слоя может быть сравнима и меньше длины волны де Бройля носителей заряда. Поверхность постоянной энергии имеет вид эллипсоида вращения, главная ось которого параллельна плоскости слоя. Получены аналитические выражения для компонент тензора проводимости, как функции безразмерных толщины, химического потенциала, параметра эллиптичности и параметров шероховатости поверхностей. Выполнен анализ проводимости в предельных случаях вырожденного и невырожденного электронного газа. Проведено сравнение полученных результатов с известными экспериментальными данными для слоя кремния. Ключевые слова: тонкий слой, уравнение Лиувилля, модель Соффера, электропроводность, изоэнергетическая поверхность.
  1. E. Condreaa, A. Nicorici. Solid State Commun., 150, 118 (2010)
  2. Е.В. Демидов, В.М. Грабов, В.А. Комаров, А.Н. Крушельницкий, А.В. Суслов, М.В. Суслов. ФТП, 53 (6), 736 (2019)
  3. K.M. Tsysar, E.M. Smelova, A.M. Saletsky, V.G. Andreev. Thin Sol. Films, 710, 138263 (2020)
  4. В.Г. Голубев, Л.Е. Морозова, А.Б. Певцов, Н.А. Феоктистов. ФТП, 33 (1), 75 (1999)
  5. I. Miccoli, F. Edler, H. Pfnur, S. Appelfeller, M. Dahne, K. Holtgrewe, S. Sanna, W.G. Schmidt, C. Tegenkamp. Phys. Rev. B, 93, 125412 (2016).
  6. J. MacHale, F. Meaney, N. Kennedy, L. Eaton, G. Mirabelli, M. White, K. Thomas, E. Pelucchi, D.H. Petersen, R. Lin, N. Petkov, J. Connolly, C. Hatem, F. Gity, L. Ansari, B. Long, R. Duffy. J, Appl. Phys., 125, 225709 (2019)
  7. K. Moors, B. Soree, W. Magnus. J. Appl. Phys., 118 (12), 124307 (2015)
  8. L. Moraga, K.F. Arenas, R. Henriquez, S. Bravo, B. Solis. Physica B: Condens. Matter, 499, 17 (2016)
  9. M. Cesar, D. Gall, H. Guo. Phys. Rev. Appl., 5, 054018 (2016)
  10. M. De Clercq, K. Moors, K. Sankaran, G. Pourtois, Sh. Dutta, Ch. Adelmann, W. Magnus, B. Soree. Phys. Rev. Mater., 2, 033801 (2018)
  11. I.A. Kuznetsova, D.N. Romanov, A.A. Yushkanov. Phys. Scripta, 94, 115805 (2019)
  12. П.А. Кузнецов, О.В. Савенко, А.А. Юшканов. ЖТФ, 90 (12), 2002 (2020)
  13. A.A. Yushkanov, O.V. Savenko, I.A. Kuznetsova. Phys. Scripta, 95 (4), 045805 (2020)
  14. L. Sheng, D.Y. Xing, Z.D. Wang. Phys. Rev. B, 51, 7325 (1995)
  15. D. Ketenoglu, B. Unal. Physica A: Statistical Mech. and its Appl., 391, 3828 (2012)
  16. R.C. Munoz, C. Arenas. Appl. Phys. Rev., 4, 011102 (2017)
  17. A.E. Meyerovich, A. Stepaniants. J. Phys.: Condens. Matter, 12, 5575 (2000)
  18. A.E. Meyerovich, I.V. Ponomarev. Phys. Rev. B, 65, 155413 (2002)
  19. B. Feldman, R. Deng, S.T. Dunham. J. Appl. Phys., 103, 113715 (2008)
  20. S. Chatterjee, A.E. Meyerovich. Phys. Rev. B, 84, 165432 (2011)
  21. R.I. Bihun, Z.V. Stasyuk, O.A. Balitskii. Physica B: Condens. Matter, 487, 73 (2019)
  22. S.B. Soffer. J, Appl. Phys., 38 (4), 1710 (1967)
  23. К. Блум. Теория матрицы плотности и ее приложения (М., Мир, 1983)
  24. А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.