"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности структурных напряжений в нитевидных нанокристаллах InGaN/GaN
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 19-32-90156
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 18-07-01364
Министерство образования и науки Российской Федераци, 0791-2020-0003
Сошников И.П.1,2,3, Котляр К.П.1,4, Резник Р.Р.5, Гридчин В.О.1,4, Лендяшова В.В.1,2, Вершинин А.В.1, Лысак В.В.5, Кириленко Д.А.2, Берт Н.А.2, Цырлин Г.Э.1,2,3
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
5Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: ipsosh@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 19 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июня 2021 г.

Представлено экспериментальное исследование, направленное на развитие метода спонтанного синтеза нитевидных нанокристаллов InGaN/GaN радиальной гетероструктуры при молекулярно-пучковой эпитаксии. Методами электронной микроскопии показано, что при содержании In x=0.4 и 0.04 в ядре и оболочке и размерах ядра может образоваться клиновидная трещина. На основе модели внутренних структурных напряжений предложена формула, позволяющая оценить критические размеры и состав для образования трещин в нитевидных нанокристаллах. Сопоставление оценок и экспериментальных данных морфологии дает хорошее согласие между собой. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, молекулярно-пучковая эпитаксия, осевые гетероструктуры, напряженные гетероструктуры, нитрид индия, нитрид галлия.
  1. S. Li, A. Waag. J. Appl. Phys., 111, 071101 (2012)
  2. Q. Luo, R. Yuan, Y.-L. Hu, D. Wang. Appl. Surf. Sci., 537, 147930 (2021)
  3. A. Zhang, G. Zheng, C.M. Lieber. Nanowires Building Blocks for Nanoscience and Nanotechnology (Springer NanoScience and Technology, 2016)
  4. S.R. Routray, T.R. Lenka. Micro-Nano Lett., 12 (12), 924 (2017)
  5. M. Monavarian, A. Rashidi, D. Feezell. Phys. Status Solidi A, 216, 1800628 (2019)
  6. X. Chen, Cell K.Y. Wong, C.A. Yuan, G. Zhang. Sensors and Actuators B: Chemical, 177, 178, (2013)
  7. Y.-L. Tsai, K.-Y. Lai, M.-J. Lee, Y.-K. Liao, B.S. Ooi, H.-C. Kuo, J.-H. He. Progr. Quant. Electron., 49, 1 (2016)
  8. V.G. Dubrovskii. Nucleation Theory and Growth of Nanostructures (Springer Verlag, Berlin- Heidelberg, 2014)
  9. E. Roche, Y. Andre, G. Avit, C. Bougerol, D. Castelluci, F. Reveret, E. Gil, F. Medard, J. Leymarie, T. Jean, V.G. Dubrovskii, A. Trassoudaine. Nanotechnology, 29, 465602 (2018)
  10. Q.Y. Soundararajah, R.F. Webster, I.J. Griffiths, S.V. Novikov, C.T. Foxon, D. Cherns. Nanotechnology, 29, 405706 (2018)
  11. V.O. Gridchin, K.P. Kotlyar, R.R. Reznik, D.S. Shevchuk, D.A. Kirilenko, N.A. Bert, I.P. Soshnikov, G.E. Cirlin. J. Phys.: Conf. Ser., 1482, 01201 (2020)
  12. R.R. Reznik, V.O. Gridchin, K.P. Kotlyar, N.V. Kryzhanovskaya, S.V. Morozov, G.E. Cirlin. Semiconductors, 54 (9), 884 (2020)
  13. С.П. Тимошенко. Сопротивление материалов (M., Наука, 1965) т. 2, гл 6
  14. M.V. Nazarenko, N.V. Sibirev, Kar Wei Ng, Fan Ren, Wai Son Ko, V.G. Dubrovskii, Connie Chang-Hasnain. J. Appl. Phys., 113, 104311 (2013)
  15. М.Ю. Гуткин, И.А. Овидько. Дефекты и механизмы прочности в наноструктурных и некристаллических материалах (СПб., Янус, 2000)
  16. И.А. Овидько, А.Г. Шейнерман. Наномеханика квантовых точек и проволок (СПб., Янус, 2004) гл. 2 и 5
  17. F. Glas. Phys. Rev. B, 90, 125406 (2014)
  18. J.W. Matthews, A.E. Blakeslee. J. Cryst. Growth, 27, 118 (1974)
  19. G. Kastner. Phys. Status Solidi A, 195 (2), 367 (2003)
  20. E. Bellet-Amalric, C. Adelmann, E. Sarigiannidou, J.L. Rouvi\`ere, G. Feuillet, E. Monroy, B. Daudin. J. Appl. Phys., 95, 1127 (2004)
  21. M. De la Mata, C. Magen, P. Caroff, J. Arbiol. Nano Letters, 14 (11), 6614 (2014).
  22. O. Madelung, U. Rossler, M. Schulz. New Data and Updates for IV-IV, III-V, II-VI and I-VII Compounds, their Mixed Crystals and Diluted Magnetic Semiconductors, Landolt-Bornstein --- Group III Condensed Matter (Springer Verlag, Berlin--Heidelberg, 2011) v. 44D, p. 517
  23. J.W. Cahn. Acta Met., 9 (9), 795 (1961)
  24. Springer Handbook of Crystal Growth, ed. by G. Dhanaraj, K. Byrappa, V. Prasad, M. Dudley (Springer Verlag, Berlin--Heidelberg, 2010).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.