Установлено, что при выращивании нитевидных нанокристаллов Si в потоке Н₂, не подвергшемся дополнительной очистке от остатков О₂ и паров воды, на поверхности кристаллов и на ростовой подложке образуются слои SiO₂. Из-за присутствия оксидного поверхностного слоя рост нитевидных нанокристаллов Si заторможен, кристаллы характеризуются сильной морфологической неустойчивостью. Определены термодинамические условия образования поверхностного оксидного слоя и его влияния на рост нитевидных нанокристаллов Si. При температурах синтеза 750-1400 K нитевидные кристаллы Si термодинамически неустойчивы в газовой фазе, содержащей любые ощутимо малые концентрации O₂, и при благоприятных кинетических условиях Si должен всецело превращаться в оксид. Термическая диссоциация и водородное восстановление SiO₂ в условиях роста кристаллов Si практически неосуществимы. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы, кремний, рост, оксидный слой.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.