"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние динамики носителей заряда и температуры на двухуровневую генерацию в полупроводниковых лазерах на квантовых точках
Коренев В.В.1,2, Савельев А.В.1,2, Жуков А.Е.1,2,3, Омельченко А.В.1,2, Максимов М.В.1,2,3
1Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

В аналитическом виде показано, что совокупная динамика носителей заряда в квантовых точках и в материале матрицы оказывает существенное влияние на явление двухуровневой генерации в лазерах на квантовых точках. В частности, учет десинхронизации в захвате электронов и дырок позволяет описать гашение генерации через основной оптический переход квантовых точек при больших мощностях накачки как качественно, так и количественно. В то же время анализ динамики зарядов внутри одиночной квантовой точки позволяет описать температурные зависимости мощности излучения через основной и возбужденный оптические переходы.
  • А.Е. Жуков, А.Р. Ковш. Квант. электрон., 38 (5), 409 (2008)
  • А.Е. Жуков, А.Р. Ковш, Е.В. Никитина, В.М. Устинов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 41 (6), 625 (2007)
  • C.F. Lam. Passive Optical Networks: Principles and Practice (SanDiego, Elsevier, 2007) p. 158
  • H.S. Djie, B.S. Ooi, X. Fang, Y. Wu, J.M. Fastenau, W.K. Liu, M. Hopkinson. Optics Lett., 32, 44 (2007)
  • N.A. Naderi, F. Grillot, K. Yang, J.B. Wright, A. Gin, L.F. Lester. Opt. Express, 18, 27 028 (2010)
  • Joseph M. Schmitt. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron., 5, 1205 (1999)
  • M. Grundmann, A. Weber, K. Goede, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov. Appl. Phys. Lett., 77, 4 (2000)
  • A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, D.A. Livshits, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Semicond. Sci. Technol., 18, 774 (2003)
  • A. Markus, J.X. Chen, C. Paranthoen, A. Fiore, C. Platz, O. Gauthier-Lafaye. Appl. Phys. Lett., 82, 1818 (2003)
  • A. Markus, A. Fiore. Phys. Status Solidi, 201, 338 (2004)
  • A. Fiore, A. Markus, M. Rossetti. Proc. SPIE, 5840, 464 (2005)
  • L.W. Shi, Y.H. Chen, B. Xu, Z.C. Wang, Z.G. Wang. Physica E, 39, 203 (2007)
  • L. Jiang, L.V. Asryan. IEEE Phot. Tech. Lett., 18, 2611 (2006)
  • J. Lee, D. Lee. J. Korean Phys. Soc., 58, 239 (2011)
  • Y.J. Kim, Y.K. Joshi, A.G. Fedorov. J. Appl. Phys., 107, 073 104 (2010)
  • H.M. Ji, T. Yang, Y.L. Cao, P.F. Xu, Y.X. Gu, Z.G. Wang. Jpn. J. Appl. Phys., 49, 072 103 (2010)
  • M. Sugawara, N. Hatori, H. Ebe, M. Ishida, Y. Arakawa, K. Akiyama, T. Otsubo, Y. Nakata. J. Appl. Phys., 97, 043 523 (2005)
  • А.Е. Жуков, М.В. Максимов, Ю.М. Шерняков, Д.А. Лифшиц, А.В. Савельев, Ф.И. Зубов, В.В. Клименко. ФТП, 46 (2), 241 (2012)
  • E.A. Viktorov, P. Mandel, Y. Tanguy, J. Houlihan, G. Huyet. Appl. Phys. Lett., 87, 053 113 (2005)
  • C. Platz, C. Paranthoen, P. Caroff, N. Bertru, C. Labbe, J. Even, O. Dehaese, H. Folliot, A. Le Corre, S. Loualiche, G. Moreau, J.C. Simone, A. Ramdane. Semicond. Sci. Technol., 20, 459 (2005)
  • K. Veselinov, F. Grillot, C. Cornet, J. Even, A. Bekiarski, M. Gioannini, S. Loualiche. IEEE J. Quant. Eectron., 43, 810 (2007)
  • M. Gioannini. J. Appl. Phys., 111, 043 108 (2012)
  • M. Sugawara, K. Mukai, H. Shoji. Appl. Phys. Lett., 71, 2791 (1997)
  • V.V. Korenev, A.V. Savelyev, A.E. Zhukov, A.V. Omelchenko, M.V. Maximov. Appl. Phys. Lett., 102, 112 101 (2013)
  • L.V. Asryan, S. Luryi. Appl. Phys. Lett., 83, 5368 (2003)
  • A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, Zh.I. Alferov. Laser Phys., 13, 319 (2003)
  • A.V. Savelyev, A.E. Zhukov. Abstract Book Int. Nano-Optoelectronics Workshop (iNOW) (St. Petersburg, Russia, and Wurzburg, Germany, 2011) v. 1, p. 43
  • V.V. Korenev, A.V. Savelyev, A.E. Zhukov, A.V. Omelchenko, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov. In: Abstract Book 15th Int. Conf. Laser Optics 2012" (St. Petersburg, 2012), ed. by E.A. Viktorov (Publishing House of Saint Petersburg University of ITMO, 2012) p.59
  • V.V. Korenev, A.V. Savelyev, A.E. Zhukov, A.V. Omelchenko, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov. Proc. SPIE, 8432, 84321L (2012)
  • K. Ludge, E. Scholl. IEEE J. Quant. Electron., 45, 1396 (2009)
  • L.V. Asryan, R.A. Suris. Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996)
  • P. Miska, C. Paranthoen, J. Even, O. Dehaese, H. Folliot, N. Bertru, S. Loualiche, M. Senes, X. Marie. Semicond. Sci. Technol., 17, L63 (2002)
  • B. Ohnesorge, M. Albrecht, J. Oshinowo, A. Forchel, Y. Arakawa. Phys. Rev. B, 54, 11 532 (1996)
  • R.P. Prasankumar, R.S. Attaluri, R.D. Averitt, J. Urayama, N. Weisse-Bernstein, P. Rotella, A.D. Stintz, S. Krishna, A.J. Taylor. Opt. Express, 16, 1165 (2008)
  • G.P. Agrawal, N.K. Dutta. Semiconductor Lasers (N. Y., Van Nostrand Reinhold, 1993) p. 58
  • L. Hoglund, K.F. Karlsson, P.O. Holtz, H. Pettersson, M.E. Pistol. Phys. Rev. B, 82, 035 314 (2010)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.