Вышедшие номера
Методика исследования световой деградации тандемных фотопреобразователей alpha-Si : H/mu c-Si : H при повышенной освещенности
Честа О.И.1, Аблаев Г.М.2,3, Блатов А.А.4, Бобыль А.В.1, Емельянов В.М.1, Орехов Д.Л.2, Теруков Е.И.1,2, Тимошина Н.Х.1, Шварц М.З.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский aкадемический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 18 января 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

Представлены описание созданной экспериментальной установки и методика ее использования для проведения ускоренных испытаний тонкопленочных фотопреобразователей alpha-Si : H/mu c-Si : H размером до 100x100 мм на световую деградацию при повышенной освещенности (до 10 кВт/м2). Проведено сравнение результатов оценки уровня фотоиндуцированной деградации фотопреобразователей по стандартной и разработанной методике и показано, что методика исследования фотоиндуцированной деградации при повышенной освещенности позволяет в 100 раз сократить время проведения испытаний, обеспечивая полностью адекватную оценку стабильности фотопреобразователей на основе аморфного и микрокристаллического кремния.