Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Прудаев И.А.1, Голыгин И.Ю.1, Ширапов С.Б.1, Романов И.С.1, Хлудков С.С.1, Толбанов О.П.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия 
Поступила в редакцию: 4 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.
Представлены экспериментальные вольт-амперные характеристики и зависимости внешнего квантового выхода от плотности тока светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN для широкого интервала температур T=10-400 K. Показано, что в области низких температур, при T<100 K, инжекция дырок в квантовые ямы происходит из локализованных состояний акцепторов. Инжекция электронов в p-GaN при низких температурах происходит за счет квазибаллистического транспорта в области множественных квантовых ям. Рост температуры приводит к увеличению тока, обусловленного термически активированной инжекцией дырок и электронов из разрешенных зон GaN.
- Di Zhu, J. Xu, A.N. Noemaun, J.K. Kim, E.F. Schubert, M.H. Crawford, D.D. Koleske. Appl. Phys. Lett., 94, 081 113 (2009)
- D. Yan, H. Lu, D. Chen, R. Zhang, Y. Zheng. Appl. Phys. Lett., 96, 083 504 (2010)
- G.-B. Lin, D. Meyaard, J. Cho, E.F. Schubert, H. Shim, C. Sone. Appl. Phys. Lett., 100, 161 106 (2012)
- X. Ni, X. Li, J. Lee, S. Liu, V. Avrutin, A. Matulionis, U. Ozgur, H. Morkoc. Superlat. Microstr., 48, 133 (2010)
- В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 35, 861 (2001)
- С.С. Мамакин, А.Э. Юнович, А.Б. Ваттана, Ф.И. Маняхин. ФТП, 37, 1131 (2003)
- L.X. Zhao, E.J. Thrush, C.J. Humphreys, W.A. Phillips. J. Appl. Phys., 103, 024 501 (2008)
- И.А. Прудаев, И.В. Ивонин, О.П. Толбанов. Изв. вузов. Физика, 54 (12), 66 (2011)
- Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Р.И. Горбунов, А.С. Зубрилов, Ю.С. Леликов, Ф.Е. Латышев, Ю.Т. Ребане, А.И. Цюк, Ю.Г. Шретер. ФТП, 44, 822 (2010)
- D.S. Meyaard, G.-B. Lin, Q. Shan, J. Cho, E.F. Schubert, H. Shim, M.-H. Kim, C. Sone. Appl. Phys. Lett., 99, 251 115 (2011)
- J.J. Harris, K.J. Lee, I. Harrison, L.B. Flannery, D. Korakakis, T.S. Cheng, C.T. Foxon, Z. Bougrioua, I. Moerman, W. Van der Stricht, E.J. Thrush, B. Hamilton, K. Ferhah. Phys. Status Solidi A, 176, 363 (1999)
- H. Nakayama, P. Hacke, M.R.H. Khan, T. Detchprochm, K. Hiramatsu, N. Sawaki. Jpn. J. Appl. Phys., 35, 282 (1996)
- D.S. Sizov, R. Bhat, A. Zakharian, K. Song, D.E. Allen, S. Coleman, Chung-en Zah. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 17 (5), 1390 (2011)
- M.S. Kumar, S.J. Chung, H.W. Shim, C.-H. Hong, E.-K. Suh, H.J. Lee. Semicond. Sci. Technol., 19, 725 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
