"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Прудаев И.А.1, Голыгин И.Ю.1, Ширапов С.Б.1, Романов И.С.1, Хлудков С.С.1, Толбанов О.П.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 4 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

Представлены экспериментальные вольт-амперные характеристики и зависимости внешнего квантового выхода от плотности тока светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN для широкого интервала температур T=10-400 K. Показано, что в области низких температур, при T<100 K, инжекция дырок в квантовые ямы происходит из локализованных состояний акцепторов. Инжекция электронов в p-GaN при низких температурах происходит за счет квазибаллистического транспорта в области множественных квантовых ям. Рост температуры приводит к увеличению тока, обусловленного термически активированной инжекцией дырок и электронов из разрешенных зон GaN.
  1. Di Zhu, J. Xu, A.N. Noemaun, J.K. Kim, E.F. Schubert, M.H. Crawford, D.D. Koleske. Appl. Phys. Lett., 94, 081 113 (2009)
  2. D. Yan, H. Lu, D. Chen, R. Zhang, Y. Zheng. Appl. Phys. Lett., 96, 083 504 (2010)
  3. G.-B. Lin, D. Meyaard, J. Cho, E.F. Schubert, H. Shim, C. Sone. Appl. Phys. Lett., 100, 161 106 (2012)
  4. X. Ni, X. Li, J. Lee, S. Liu, V. Avrutin, A. Matulionis, U. Ozgur, H. Morkoc. Superlat. Microstr., 48, 133 (2010)
  5. В.Е. Кудряшов, С.С. Мамакин, А.Н. Туркин, А.Э. Юнович, А.Н. Ковалев, Ф.И. Маняхин. ФТП, 35, 861 (2001)
  6. С.С. Мамакин, А.Э. Юнович, А.Б. Ваттана, Ф.И. Маняхин. ФТП, 37, 1131 (2003)
  7. L.X. Zhao, E.J. Thrush, C.J. Humphreys, W.A. Phillips. J. Appl. Phys., 103, 024 501 (2008)
  8. И.А. Прудаев, И.В. Ивонин, О.П. Толбанов. Изв. вузов. Физика, 54 (12), 66 (2011)
  9. Н.И. Бочкарева, В.В. Вороненков, Р.И. Горбунов, А.С. Зубрилов, Ю.С. Леликов, Ф.Е. Латышев, Ю.Т. Ребане, А.И. Цюк, Ю.Г. Шретер. ФТП, 44, 822 (2010)
  10. D.S. Meyaard, G.-B. Lin, Q. Shan, J. Cho, E.F. Schubert, H. Shim, M.-H. Kim, C. Sone. Appl. Phys. Lett., 99, 251 115 (2011)
  11. J.J. Harris, K.J. Lee, I. Harrison, L.B. Flannery, D. Korakakis, T.S. Cheng, C.T. Foxon, Z. Bougrioua, I. Moerman, W. Van der Stricht, E.J. Thrush, B. Hamilton, K. Ferhah. Phys. Status Solidi A, 176, 363 (1999)
  12. H. Nakayama, P. Hacke, M.R.H. Khan, T. Detchprochm, K. Hiramatsu, N. Sawaki. Jpn. J. Appl. Phys., 35, 282 (1996)
  13. D.S. Sizov, R. Bhat, A. Zakharian, K. Song, D.E. Allen, S. Coleman, Chung-en Zah. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 17 (5), 1390 (2011)
  14. M.S. Kumar, S.J. Chung, H.W. Shim, C.-H. Hong, E.-K. Suh, H.J. Lee. Semicond. Sci. Technol., 19, 725 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.