Вышедшие номера
Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Прудаев И.А.1, Голыгин И.Ю.1, Ширапов С.Б.1, Романов И.С.1, Хлудков С.С.1, Толбанов О.П.1
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 4 февраля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

Представлены экспериментальные вольт-амперные характеристики и зависимости внешнего квантового выхода от плотности тока светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN для широкого интервала температур T=10-400 K. Показано, что в области низких температур, при T<100 K, инжекция дырок в квантовые ямы происходит из локализованных состояний акцепторов. Инжекция электронов в p-GaN при низких температурах происходит за счет квазибаллистического транспорта в области множественных квантовых ям. Рост температуры приводит к увеличению тока, обусловленного термически активированной инжекцией дырок и электронов из разрешенных зон GaN.