Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоэлектрические преобразователи с варизонными слоями на основе ZnSe
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина 
Поступила в редакцию: 5 декабря 2012 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.
В качестве подложки для эпитаксиального выращивания ZnSe используются ориентированные поликристаллические слои CdSe. Для исключения механизма образования структурных дефектов, связанных с рассогласованием постоянных решеток активного эпитаксиального слоя и материала подложки, выращивался промежуточный варизонный слой CdxZn1-xSe. В такой структуре прорaстание точечных дефектов донорного типа из подложки в наращиваемые слои приводит к образованию низкоомного слоя ZnSe. На ZnSe наносился барьерообразующий слой p-Cu1.8S. Для уменьшения рекомбинационных потерь фотоносителей на границе раздела поверхностно-барьерного преобразователя p-Cu1.8S-n-ZnSe предложен и реализован вариант дополнительного встраивания тонкого варизонного слоя в область обьемного заряда фотопреобразователя.
- Г.Г. Девятых, Б.В. Жук, А.А. Зленко, А.М. Прохоров, В.К. Хамылов, Г.П. Шипуло. Письма ЖТФ, 10 (2), 118 (1984)
- Б.В. Жук, И.А. Жуков, А.А. Зленко. ФТП, 19 (8), 1405 (1985)
- F. Vigue, E. Tournie, J.-P. Faurie. Electron Lett., 36 (4), 352 (2000)
- E. Monroy, F. Vigue, F. Calle, J.I. Izpura, E. Munoz, J.P. Faurie. Аppl. Phys. Lett., 77 (17), 2761 (2000)
- K. Ando, H. Ishikura, Y. Fukunaga, T. Kubota, H. Maeta, T. Abe, H. Kasada. Phys. Status Solidi B, 229 (2), 1065 (2002)
- Ю.З. Бубнов, М.С. Лурье, Ф.Г. Старх, Г.А. Филаретов. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом обьеме (М., Сов. радио, 1975)
- Ю.Н. Бобренко, А.М. Павелец, С.Ю. Павелец, В.М. Ткаченко. Письма ЖТФ, 20 (12), 9 (1994)
- С.Ю. Павелец, А.В. Комащенко, В.Д. Фурсенко, П.П. Горбик. В сб.: Оптоэлектроника и полупроводниковая техника (Киев, Наук. думка, 1999) вып. 34, с. 106
- C.Ю. Павелец, Ю.Н. Бобренко, А.В. Комащенко, Т.Е. Шенгелия. ФТП, 35 (5), 626 (2001)
- Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, А.М. Павелец, М.П. Киселюк, Н.В. Ярошенко. ФТП, 44 (8), 1114 (2010)
- Физика соединений АIIBVI, под ред. А.Н. Георгобиани, М.К. Шейнкмана (М., Наука, 1986)
- O.N. Tufle, E.L. Stelzer. J. Appl. Phys., 40, 4559 (1969)
- Г.П. Пека, В.Ф. Коваленко, А.Н. Смоляр. Варизонные полупроводники (Киев, Выш. шк., 1989)
- Ю.Н. Бобренко, С.Ю. Павелец, А.М. Павелец. ФТП, 43 (6), 830 (2009)
- В.М. Евдокимов. Радиотехника и электроника, 10 (7), 1314 (1965)
- D.L. Foucht. J. Vac. Sci. Technol., 14 (1), 57 (1977)
- Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, М.Б. Каган, В.И. Корольков, Т.С. Табаров, Ф.М. Таджиев. Письма ЖТФ, 3 (6), 725 (1977)
- Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, Ю.М. Задиранов, В.И. Корольков, Т.С. Табаров. Письма ЖТФ, 4 (6), 305 (1978)
- Ж.И. Алфёров. УФН, 172 (9), 1068 (2002)
- Г. Крёмер. УФН, 172 (9), 1087 (2002)
- В.А. Холоднов. ФТП, 47 (1), 68 (2013)
- А. Беркелиев, Ю.А. Гольдберг, А.Н. Именков, Д. Мелебаев, Б.В. Царенков. ФТП, 12 (1), 96 (1978)
- В.А. Бывалый, А.С. Волков, Ю.А. Гольдберг, А.Г. Дмитриев, Б.В. Царенков. ФТП, 13 (7), 1385, (1979)
- А.Р. Аннаева, А. Беркелиев, В.Н. Бессолов, Ю.А. Гольдберг, Б.В. Царенков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 15 (6), 1122 (1981)
- С.Ю. Павелец, Т.М. Сванидзе, В.П. Тарасенко. Укр. физ. журн., 18, 581 (1983)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
