"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Оптические свойства квазиобъемных кристаллов нитрида галлия со структурой высокоориентированной текстуры
Мынбаева М.Г. 1, Смирнов А.Н. 1, Мынбаев К.Д. 1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: mgm@mail.ioffe.ru, alex.smirnov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 10 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 22 марта 2021 г.
Принята к печати: 22 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 9 апреля 2021 г.

Представлены результаты исследования оптических свойств образцов нитрида галлия со структурой высокоориентированной текстуры, выращенных без использования традиционных полупроводниковых или сапфировых подложек. Показано, что дефекты упаковки, содержащиеся в блоках GaN-текстуры исследованного материала, представляют собой самоорганизованные гетерополитипные наноструктуры, и эффективная люминесценция в ультрафиолетовой области спектра, связанная с дефектами упаковки в базисной плоскости типа I1, определяется оптическими переходами экситонов, локализованных вблизи таких естественных дефектов монокристаллического объема блоков GaN-текстуры. Ключевые слова: нитрид галлия, дефекты упаковки, люминесценция.
  1. D.S. Chen, W.B. Gao. J. Semicond., 40, 070301 (2019)
  2. J. Lahnemann, U. Jahn, O. Brandt, T. Flissikowski, P. Dogan, H.T. Grahn. J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 423001 (2014)
  3. Y. Zhang, R.M. Smith, L. Jiu, J. Bai, T. Wan. Sci. Rep., 9, 9735 (2019)
  4. А.В. Соломникова, В.Н. Бессолов, Е.В. Коненкова, Т.А. Орлова, С.Н. Родин, Н.В. Середова, М.П. Щеглов, Д.С. Кибалов, В.К. Смирнов. ФТП, 53, 1006 (2019)
  5. М.Г. Мынбаева, А.И. Печников, А.А. Ситникова, Д.А. Кириленко, А.А. Лаврентьев, Е.В. Иванова, В.И. Николаев. Письма ЖТФ, 41 (5), 84 (2015)
  6. M.G. Mynbaeva, E.V. Ivanova, D.A. Kirilenko, A.N. Smirnov, K.D. Mynbaev. J. Phys. Conf. Ser., 1697, 012064 (2020)
  7. M. Dermeneva, D. Muravijova, M. Mynbaeva, V. Bougrov, M. Yagovkina. J. Phys. Conf. Ser., 1124, 081008 (2018)
  8. A. van der Drift. Phil. Res. Rep., 22, 267 (1967)
  9. C.A. Arguello, D.L. Rousseau, S.P.S. Porto. Phys. Rev., 181 (3), 1351 (1969)
  10. V.V. Emtsev, V.Yu. Davydov, V.V. Kozlovskii, V.V. Lundin, D.S. Poloskin, A.N. Smirnov, N.M. Shmidt, A.S. Usikov, J. Aderhold, H. Klausing, D. Mistele, T. Rotter, J. Stemmer, O. Semchinova, J. Graul. Semicond. Sci. Technol., 15, 73 (2000)
  11. М.Г. Мынбаева, А.И. Печников, А.Н. Смирнов, Д.А. Кириленко, С.Ч. Рауфов, А.А. Ситникова, М.А. Одноблюдов, В.Е. Бугров, К.Д. Мынбаев, В.И. Николаев, А.Е. Романов. Физ. мех. матер., 29 (1), 24 (2016)
  12. V.Yu. Davydov, N.S. Averkiev, I.N. Goncharuk, D.K. Nelson, I.P. Nikitina, A.S. Polkovnikov, A.N. Smirnov, M.A. Jacobson, O.K. Semchinova. J. Appl. Phys., 82, 5097 (1997)
  13. Yu.V. Melnik, K.V. Vassilevski, I.P. Nikitina, A.I. Babanin, V.Yu. Davydov, V.A. Dmitriev. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 2, e39 (1997)
  14. Д.А. Кириленко, А.В. Кремлева, А.А. Ситникова, А.В. Кремлева, М.Г. Мынбаева, В.И. Николаев. Письма ЖТФ, 40 (24), 60 (2014)
  15. Y.T. Rebane, Y.G. Shreter, M. Albrecht. Phys. Status Solidi A, 164, 141 (1997)
  16. I. Tischer, M. Hocker, B. Neuschl, M. Madel, M. Feneberg, M. Schirra, M. Frey, M. Knab, P. Maier, T. Wunderer, R.A.R. Leute, J. Wang, F. Scholz, J. Biskupek, J. Bernhard, U. Kaiser, U. Simon, L. Dieterle, H. Groiss, E. Muller, D. Gerthsen, K. Thonke. J. Mater. Res., 30, 2977 (2015).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.