"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Латентное накопление поверхностных состояний в МОП структурах после ионизирующего облучения
Александров О.В.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Aleksandr_ov@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 12 марта 2021 г.
Принята к печати: 12 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 9 апреля 2021 г.

Разработана новая количественная модель латентного накопления поверхностных состояний в МОП структурах после ионизирующего облучения и длительного отжига. Модель базируется на образовании под воздействием ионизирующего облучения ионов водорода H+ не только в тонком подзатворном диэлектрике, но и в прилегающем толстом полевом диэлектрике, и их последующем дисперсионном переносе к межфазной границе с кремниевой подложкой. Плотность латентных поверхностных состояний определяется уравнением баланса пассивации и депассивации Pb-центров на межфазной границе SiO2-Si ионами водорода. Модель позволяет объяснить сопутствующее падение объемного заряда, а также спад плотности поверхностных состояний после завершения роста и удовлетворительно описывает экспериментальные данные. Ключевые слова: ионизирующее облучение, МОП структура, латентные поверхностные состояния, дисперсионный транспорт, моделирование.
  1. К.И. Таперо, В.Н. Улимов, А.М. Членов. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения (М., БИНОМ, 2012)
  2. J.R. Schwank, D.M. Fleetwood, M.R. Shaneyfelt, P.S. Winokur. IEEE Electron Dev. Lett., 13 (4), 203 (1992)
  3. J.R. Schwank, D.M. Fleetwood, M.R. Shaneyfelt, P.S. Winokur. C. L. Axness, L.C. Riewe. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39 (6), 1953 (1992)
  4. G.S. Ristiv c, M.M. Pejoviv c, A.B. Jakv siv c. J. Appl. Phys., 83 (6), 2994 (1998)
  5. G.S. Ristiv c, M.M. Pejoviv c, A.B. Jakv siv c. J. Appl. Phys., 87 (7), 3468 (2000)
  6. О.В. Александров. ФТП, 54 (2), 189 (2020)
  7. О.В. Александров. ФТП, 55 (2), 152 (2021)
  8. V.I. Arkhipov, A.I. Rudenko. Phil. Mag. B, 45 (2), 189 (1982)
  9. R.E. Stahlbush, A.H. Edwards, D.L. Griscom, B.J. Mrstik. J. Appl. Phys., 73 (2), 658 (1993)
  10. A. Stesmans. Phys. Rev. Lett., 70 (11), 1723 (1993)
  11. J. Fishbein, J.T. Watt, J.D. Plummer. J. Electrochem. Soc., 134 (3), 674 (1987)
  12. S.R. Hofstein. IEEE Trans. Electron Dev., 11 (11), 749 (1967)
  13. H.-E. Sasse, U. Konig. J. Appl. Phys., 67 (10), 6194 (1990)
  14. Y. Nissan-Cohen. Appl. Surf. Sci., 39, 511 (1989).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.