Разработана новая количественная модель латентного накопления поверхностных состояний в МОП структурах после ионизирующего облучения и длительного отжига. Модель базируется на образовании под воздействием ионизирующего облучения ионов водорода H⁺ не только в тонком подзатворном диэлектрике, но и в прилегающем толстом полевом диэлектрике, и их последующем дисперсионном переносе к межфазной границе с кремниевой подложкой. Плотность латентных поверхностных состояний определяется уравнением баланса пассивации и депассивации P_b-центров на межфазной границе SiO₂-Si ионами водорода. Модель позволяет объяснить сопутствующее падение объемного заряда, а также спад плотности поверхностных состояний после завершения роста и удовлетворительно описывает экспериментальные данные. Ключевые слова: ионизирующее облучение, МОП структура, латентные поверхностные состояния, дисперсионный транспорт, моделирование.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.