Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние температуры отжига на низкотемпературную фотолюминесценцию в светоизлучающих структурах Si:Er, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Андреев Б.А.¹, Соболев Н.А.², Денисов Д.В.², Шек Е.И.²

¹Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 4 марта 2013 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы спектры фотолюминесценции при 4.2 K в светоизлучающих структурах на основе кремния, легированного эрбием в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии при температуре 500^oС, после отжига при 800-900^oС. Выявлены три серии линий, принадлежащих излучающим центрам эрбия в кремнии с низкой концентрацией примеси кислорода.

N. Daldosso, L. Pavesi. Nanosilicon Photonics Laser \& Photon. Rev., 3 (6), 508 (2009)
K.P. Homewood, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam. Optical Mater., 32, 1601 (2010)
G. Franzo, E. Napolitani, P. Cardile, S. Boninelli, A. Marino, F. Priolo. Semicond. Sci. Technol., 26, 055 002 (2011)
В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, М.В. Степихова, Д.В. Шенгуров, L. Palmetshofer, H. Ellmer. ФТП, 35, 954 (2001)
Д.И. Крыжков, Н.А. Соболев, Б.А. Андреев, Д.В. Денисов, З.Ф. Красильник, Е.И. Шек. ФТП, 39, 1448 (2005)
В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Е.А. Ускова, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, М.В. Степихова. Изв. АН. Cер. физ., 64 (2), 353 (2000)
F. Priolo, S. Coffa, G. Franzo, C. Spinella, A. Carnera, B. Bellany. J. Appl. Phys., 74, 4936 (1993)
Н.А. Соболев, Д.В. Денисов, А.М. Емельянов, Е.И. Шек, Б.Я. Бер, А.П. Коварский, В.И. Сахаров, И.Т. Серенков, В.М. Устинов, Г.Э. Цирлин, Т.В. Котерева. ФТТ, 47, 108 (2005)
H. Przybylinska, W. Jantsch, Yu. Suprun-Belevich, M. Stepikhova, L. Palmetshofer, G. Hendorfer, A. Kozanecki, R.J. Wilson, B.J. Sealy. Phys. Rev. B, 54, 2532 (1996)
D.E. Wortman, C.A. Morrison, J.L. Bradshaw. J. Appl. Phys., 82, 2580 (1997)
Б.А. Андреев, А.Ю. Андреев, Д.М. Гапонова, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, М.В. Степихова, В.Б. Шмагин, В.П. Кузнецов, Е.А. Ускова, S. Lanzerstorfer. Изв. АН. Сер. физ., 64, 269 (2000)
V.V. Emtsev, jr., C.A.J. Ammerlaan, B.A. Andreev, G.A. Oganesyan, D.S. Poloskin, N.A. Sobolev. Physica B, 308- 310, 350 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель