"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Роль электрон-электронного взаимодействия в процессе захвата носителей заряда в гетероструктурах с глубокими квантовыми ямами
Данилов Л.В.1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 6 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2013 г.

Изучена роль электрон-электронного взаимодействия в процессе захвата электронов в глубокую квантовую яму. На примере двух- и трехуровневой квантовых ям были рассмотрены основные механизмы захвата электронов --- при взаимодействии с оптическими фононами и кулоновского взаимодействия между собой, рассчитаны соответствующие вероятности захвата и времена жизни электронов. Также было учтено влияние оже-рекомбинации на распределение носителей заряда в квантовой яме. С учетом этого решена система скоростных уравнений для нестационарного режима и найдены временные зависимости концентраций электронов на основном энергетическом уровне в квантовой яме. Показаны вклады каждого из рассмотренных процессов рекомбинации.
  • Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42, 566 (2008)
  • Л.В. Данилов, Г.Г. Зегря. ФТП, 42, 573 (2008)
  • Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ЖЭТФ, 113, 1491 (1998)
  • S.A. Cripps, T.J.C. Hosea, A. Krier, V. Smirnov, P.J. Batty, Q.D. Zhuang, H.H. Lin, Po-Wei Liu, G. Tsai. Appl. Phys. Lett., 90, 172 106 (2007)
  • J. Wrobel, R. Ciupa, A. Rogalski. Proc. SPIE, 7660, 766 033 (2010)
  • Н.А. Гунько, Г.Г. Зегря, А.С. Полковников. ФТП, 34, 464 (2000)
  • В.Л. Зерова, Л.Е. Воробьев, Г.Г. Зегря. ФТП, 38, 716 (2003)
  • K. Kalna, M. Mosko. Phys. Rev., 54, 17 730 (1996)
  • P. Kinsler, P. Harrison, R.W. Kelsall. Phys. Rev., 58, 4771 (1998)
  • K.D. Moiseev, E.V. Ivanov, G.G. Zegrya, M.P. Mikhailova, Y.P. Yakovkev, E. Hulicius, A. Hospodkova, J. Pangrac, K. Melichar, T. Simecek. Appl. Phys. Lett., 88, 132 102 (2006)
  • I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001)
  • В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Ясиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ РАН, 1997)
  • Л.Е. Воробьёв, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, В.Н. Тулупенко, Н.Н. Леденцов, П.С. Копьёв, В.М. Устинов, Ю.М. Шерняков, Ж.И. Алфёров. УФН, 169, 459 (1999)
  • J. Smet, C.G. Fonstad, Q. Hu. J. Appl. Phys., 79 (12), 9305 (1996)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.