"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
TlGaN Quantum-Dot Photodetectors
Полная версия: 10.1134/S1063782621030039
Al-Shatravi A.G.1, Hassan H.2, Abdulalmuhsin S.M.1, Al-Khursan A.H.2
1Physics Department, Science College, Thi-Qar University, Nassiriyah, Iraq
2Nassiriya Nanotechnology Research Laboratory (NNRL), Science College, Thi-Qar University, Nassiriyah, Iraq
Email: ameen_2all@yahoo.com
Поступила в редакцию: 28 сентября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 декабря 2020 г.

Due to the lack of work in structures containing thallium (Tl), this work is devoted to study of Ga8Tl2N quantum-dot photodetectors. Parameters are specified first. This structure is shown to have low absorption. Enough quantum efficiency is obtained. This detector works at 360-460 nm and peaked at 410 nm, which can be used in optical coherence tomography applications. Keywords: quantum dot, thallium-based structures, quantum efficiency, absorption spectrum.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.