Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Подавление температурной зависимости длины волны излучения в светодиодных структурах со ступенчатым гетеропереходом II типа InAsSb/InAsSbP
Переводная версия: 10.1134/S1063782621030155 
Семакова А.А.
1, Романов В.В.
2, Баженов Н.Л.
2, Мынбаев К.Д.
2, Моисеев К.Д.
2
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: antonina.semakova@itmo.ru, romanovvv@mail.ioffe.ru, bazhnil@mail.ioffe.ru, mynkad@mail.ioffe.ru, mkd-2006@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 16 ноября 2020 г.
Принята к печати: 16 ноября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 декабря 2020 г.
Представлены результаты исследования электролюминесценции асимметричных светодиодных гетероструктур InAs/InAs1-ySby/InAsSbP с мольной долей InSb в тройном твердом растворе активной области y=0.15 и y=0.16 в диапазоне температур 4.2-300 K. По данным экспериментов определено формирование ступенчатого гетероперехода II типа на гетерогранице InAs1-ySby/InAs0.41Sb0.28P0.40. Показан доминирующий вклад интерфейсных излучательных переходов на гетерогранице II типа в диапазоне температур 4.2-180 K, позволяющий минимизировать температурную зависимость рабочей длины волны излучения светодиода. Ключевые слова: гетеропереходы, арсенид индия, антимониды, электролюминесценция.
- D. Ting, A. Soibel, A. Khoshakhlagh, S. Keo, B. Rafol, A. Fisher, B. Pepper, E. Luong, C. Hill, S. Guhapala. Infr. Phys. Technol., 97, 210 (2019)
- D. Jung, S. Bank, M.L. Lee, D. Wasserman. J. Opt., 19, 123001 (2017)
- S.D. Smith, J.G. Crowder, H.R. Hardaway. Proc. SPIE, 4651 (1), 157 (2002)
- М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин. ФТП, 35, 619 (2001)
- A. Krier, H.H. Gao, V.V. Sherstnev, Y. Yakovlev. J. Phys. D: Appl. Phys., 32, 3117 (1999)
- S.P. Svensson, W.L. Sarney, D. Donetsky, G. Kipshidze, Y. Lin, L. Shterengas, Y. Xu, G. Belenky. J. Appl. Opt., 56, B58 (2017)
- В.В. Романов, М.В. Байдакова, К.Д. Моисеев. ФТП, 48, 753 (2014)
- А.С. Головин, A.A. Петухов, С.С. Кижаев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 37 (11), 15 (2011)
- A.A. Semakova, V.V. Romanov, K.D. Moiseev, N.L. Bazhenov, K.D. Mynbaev. J. Phys. Conf. Ser., 1482, 012023 (2020)
- В.В. Романов, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТТ, 61, 1699 (2019)
- М.М. Григорьев, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТП, 45, 1386 (2011)
- Y.P. Varshni. Physica, 4, 149 (1967)
- Z.M. Fang, K.Y. Ma, D.H. Jaw, R.M. Cohen, G.B. Stringfellow. J. Appl. Phys., 67, 7034 (1990)
- Y. Lacroix, C.A. Tran, S.P. Watkins, M.L.V. Thewalt. J. Appl. Phys., 80, 6416 (1996)
- J.A. Van Vechten, T.K. Bergstresser. Phys. Rev. B, 1, 3351 (1970)
- Landolt-Bornstein. Handbook, Numerical Data, Ser. III, v. 17a, ed. by O. Madelung (Springer, Berlin, Heidelberg, 1982)
- В.В. Романов, Э.В. Иванов, К.Д. Моисеев. ФТТ, 62, 1822 (2020)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
