Вышедшие номера
Подавление температурной зависимости длины волны излучения в светодиодных структурах со ступенчатым гетеропереходом II типа InAsSb/InAsSbP
Переводная версия: 10.1134/S1063782621030155
Семакова А.А. 1, Романов В.В. 2, Баженов Н.Л. 2, Мынбаев К.Д. 2, Моисеев К.Д. 2
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: antonina.semakova@itmo.ru, romanovvv@mail.ioffe.ru, bazhnil@mail.ioffe.ru, mynkad@mail.ioffe.ru, mkd-2006@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 ноября 2020 г.
В окончательной редакции: 16 ноября 2020 г.
Принята к печати: 16 ноября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 декабря 2020 г.

Представлены результаты исследования электролюминесценции асимметричных светодиодных гетероструктур InAs/InAs1-ySby/InAsSbP с мольной долей InSb в тройном твердом растворе активной области y=0.15 и y=0.16 в диапазоне температур 4.2-300 K. По данным экспериментов определено формирование ступенчатого гетероперехода II типа на гетерогранице InAs1-ySby/InAs0.41Sb0.28P0.40. Показан доминирующий вклад интерфейсных излучательных переходов на гетерогранице II типа в диапазоне температур 4.2-180 K, позволяющий минимизировать температурную зависимость рабочей длины волны излучения светодиода. Ключевые слова: гетеропереходы, арсенид индия, антимониды, электролюминесценция.