Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Особенности механизмов проводимости полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Rh
1Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. Пидстрыгача Национальной академии наук Украины, Львов, Украина 
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт физической химии Венского университета, Вена, Австрия
4Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
5Институт Нееля Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
2Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
3Институт физической химии Венского университета, Вена, Австрия
4Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
5Институт Нееля Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
Поступила в редакцию: 1 ноября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.
Исследованы кристаллическая структура, распределение электронной плотности, энергетические, кинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника n-HfNiSn, сильно легированного акцепторной примесью Rh, в диапазонах температур T=80-400 K, концентраций акцепторов NARh~9.5·1019-1.9·1021 см-3 (x=0.005-0.10) и в магнитных полях H≤ 10 кГс. Установлено, что легирование сопровождается одновременным уменьшением концентрации, ликвидацией структурных дефектов донорной природы (до x~0.02) и увеличением концентрации структурных дефектов акцепторной природы (0<x≤0.10). Выявлена зависимость степени компенсации полупроводника от температуры. Предложена модель пространственного расположения атомов в HfNi1-xRhxSn, а основанные на ней результаты расчета электронной структуры согласуются с результатами исследований кинетических и магнитных характеристик полупроводника. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса.
- В.А. Ромака, P. Rogl, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака, E.K. Hlil, В.Я. Крайовский, А.М. Горынь. ФТП, 46 (9), 1130 (2012)
- Л.И. Анатычук. Термоэлементы и термоэлектрические устройства (Киев, Наук. думка, 1979)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- F.G. Aliev, R. Villar, S. Vieira, N. Levanyuk, R.V. Skolozdra. Phys. Rev. B, 50 (24), 17 881 (1994)
- В.А. Ромака, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык. Интерметаллические полупроводники: свойства и применения (Львов, Львовская политехника, 2011)
- В.А. Ромака, P. Rogl, В.В. Ромака, Ю.В. Стаднык, E.K. Hlil, В.Я. Крайовский, А.М. Горынь. ФТП, 47 (7), 882 (2013)
- V.K. Pecharsky, P.U. Zavalij. Fundamentals of Powder Diffraction and Structural Characterization of Materials (N. Y., Springer, 2005)
- L.G. Akselrud, Yu.N. Grin, P.Yu. Zavalii, V.K. Pecharsky, V.S. Fundamenskii. 12th Eur. Crystallographic Meeting. Collected Abstract (М., Nauka, 1989) p. 155
- M. Schroter, H. Ebert, H. Akai, P. Entel, E. Hoffmann, G.G. Reddy. Phys. Rev. B, 52, 188 (1995)
- В.А. Ромака, D. Fruchart, E.K. Hlil, Р.Е. Гладышевский, D. Gignoux, В.В. Ромака, Б.С. Кужель, Р.В. Крайовский. ФТП, 44 (3), 310 (2010)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 61, 816 (1971)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. ЖЭТФ, 62, 1156 (1972)
- В.А. Ромака, Ю.В. Стаднык, В.В. Ромака, Д. Фрушарт, Ю.К. Гореленко, В.Ф. Чекурин, А.М. Горынь. ФТП, 41 (9), 1059 (2007)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
