"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Формирование экситонной структуры в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS при модулированном возбуждении
Батырев А.С.1, Бисенгалиев Р.А.1, Новиков Б.В.2, Тагиров М.О.1
1Калмыцкий государственный университет, Элиста, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 ноября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

Исследованы низкотемпературные (77 K) спектры фотопроводимости кристаллов CdS на различных частотах модуляции фотовозбуждения. Получен эффект трансформации спектральной кривой фотопроводимости типа 1 в кривую типа 2 при переходе от немодулированного к модулированному возбуждению фотопроводимости. Предложена модель формирования тонкой (экситонной) структуры в спектрах модулированного возбуждения фотопроводимости полупроводника.
  1. В.А. Киселев, Б.В. Новиков, А.Е. Чередниченко. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников (СПб., Изд-во СПбГУ, 2003)
  2. J.H. Apfel, A.M. Portis. J. Phys. Chem. Sol., 15, 33 (1960)
  3. Ф.И. Крейнгольд. ФТТ, 5 (9), 2428 (1963)
  4. В.В. Еременко, Э.В. Матюшкин. ФТТ, 6 (2), 402 (1964)
  5. Ф.И. Крейнгольд, Б.В. Новиков. ФТТ, 6 (6), 1612 (1964)
  6. Р.И. Шехмаметьев, Б.В. Новиков. ФТТ, 6 (6), 1724 (1964)
  7. E.F. Gross, I.Kh. Akopian, F.I. Kreingold, B.V. Novikov, R.A. Titov, R.I. Shekhmametiev. Proc. Int. Conf. Phys. Semiconductors (Dunod, Paris, 1964) p. 957
  8. А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, Б.В. Новиков. Тр. Х Междунар. конф. "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы" (Ульяновск, Изд-во УлГУ, 2008) c. 57
  9. J. Voigt, E. Ost. Phys. Status Solidi, 33, 381 (1969)
  10. J.A. Bragagnolo, K.W. Boer. Phys. Status Solidi A, 21, 291 (1974)
  11. J.A. Bragagnolo, C. Wright, K.W. Boer. Phys. Status Solidi A, 24, 147 (1974)
  12. А.С. Батырев, Р.А. Бисенгалиев, Н.В. Жукова, Б.В. Новиков, Э.И. Читыров. ФТТ, 45 (11), 1961 (2003)
  13. А.Н. Васильев, В.В. Михайлин. Введение в спектроскопию твердого тела (М., Изд-во МГУ, 1987)
  14. Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн. Поверхности и границы раздела полупроводников (М., Мир, 1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.