На основе электрических и оптических измерений исследовано влияние примеси марганца на свойства кристаллов Hg₃In₂Te₆. Показано, что, несмотря на большую концентрацию введенной примеси (1·10¹⁹ см^-3), порядок концентрации электронов остается таким же, как в нелегированном кристалле (~10¹³ см^-3 при 300 K). При этом наблюдается сужение запрещенной зоны от 0.74 до 0.7 эВ. Из анализа спектров поглощения установлено, что край поглощения формируется оптическими переходами с участием хвостов плотности состояний, а в запрещенной зоне образуются две примесные зоны, донорного и акцепторного типов, с гауссовым распределением плотности состояний и энергетическим промежутком между максимумами E₀=E_d⁰-E_a⁰=0.4 эВ. Определены суммарная концентрация доноров и акцепторов N_d+N_a и степень компенсации: K=N_a/N_d->1. Последнее является причиной стабилизации уровня Ферми вблизи середины запрещенной зоны и квазисобственного характера проводимости при температурах T≥ 300 K.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.