Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Раскрытие энергетической щели в области точки Дирака при осаждении кобальта на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe₂

DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49821.13

Переводная версия: 10.1134/S1063782620090146

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 17-02-00729

Кавеев А.К.¹, Банщиков А.Г¹, Терпицкий А.Н¹, Голяшов В.А², Терещенко О.Е², Кох К.А³, Естюнин Д.А⁴, Шикин А.М¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

³Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН, Новосибирск, Россия Sobolev Institute of Geology and Mineralogy, Siberian Branch Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Sobolev Institute of Geology and Mineralogy, Siberian Branch Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

⁴Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия St. Petersburg State University, St. Petersburg, Russia

Email: kaveev@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.

В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.

Принята к печати: 21 апреля 2020 г.

Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые показано, что субнанометровые покрытия Со, нанесенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхность (0001) топологического изолятора BiSbTeSe₂ при температуре 330^oC, открывают энергетическую щель в спектре топологических поверхностных состояний в области точки Дирака, со смещением положения точки Дирака, вызванным предварительным осаждением адсорбата при комнатной температуре. Ширина щели составляет 21±6 мэВ. Температурно-зависимые измерения в диапазоне 15-150 K не показали изменения ширины энергетической щели. Ключевые слова: топологические изоляторы, спинтроника, энергетическая щель в точке Дирака, легирование.

T.H. Hsieh, H. Lin, J. Liu, W. Duan, A. Bansil, L. Fu. Nature Commun., 3, 982 (2012)
M.Z. Hasan, C.L. Kane. Rev. Mod. Phys., 82, 3045 (2010)
X.-L. Qi, T.L. Hughes, S.-C. Zhang. Phys. Rev. B, 78, 195424 (2008)
C. Kane. Nature Phys., 4 (5), 348 (2008)
A.M. Shikin, A.A. Rybkina, D.A. Estyunin, D.M. Sostina, I.I. Klimovskikh, V.Yu. Voroshnin, A.G. Rybkin, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko, L. Petaccia, G.Di Santo, A. Kimura, P.N. Skirdkov, K.A. Zvezdin, A.K. Zvezdin. Sci. Rept., 8, 6544 (2018)
L.A. Walsh, C.M. Smyth, A.T. Barton, Q. Wang, Z. Che, R. Yue, Ji. Kim, M.J. Kim, R.M. Wallace, C.L. Hinkle. J. Phys. Chem. C, 121 (42), 23551 (2017)
E. Longo, C. Wiemer, R. Cecchini, M. Longo, A. Lamperti, A. Khanas, A. Zenkevich, M. Fanciulli, R. Mantovan. J. Magn. Magn. Mater., 474, 632 (2019)
A.K. Kaveev, N.S. Sokolov, Se.M. Suturin, N.S. Zhiltsov, V.A. Golyashov, K.A. Kokh, I.P. Prosvirin, O.E. Tereshchenko, M. Sawada. Cryst. Eng. Commun., 20, 3419 (2018)
H. Iwasawa, E.F. Schwier, M. Arita, A. Ino, H. Namatame, M. Taniguchi, Y. Aiura, K. Shimada. Ultramicroscopy, 182, 85 (2017)
A.K. Kaveev, S.M. Suturin, V.A. Golyashov, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko. J. Phys.: Conf. Ser., 055016, 1400 (2019)
Y.L. Chen, J.-H. Chu, J.G. Analytis, Z.K. Liu, K. Igarashi, H.-H. Kuo, X.L. Qi, S.K. Mo, R.G. Moore, D.H. Lu, M. Hashimoto, T. Sasagawa, S.C. Zhang, I.R. Fisher, Z. Hussain, Z.X. Shen. Science, 329, 5992, 659 (2010)
J. Sanchez-Barriga, A. Varykhalov, G. Springholz, H. Steiner, R. Kirchschlager, G. Bauer, O. Caha, E. Schierle, E. Weschke, A.A. Unal, S. Valencia, M. Dunst, J. Braun, H. Ebert, J. Minar, E. Golias, L.V. Yashina, A. Ney, V. Holy, O. Rader. Nature Commun., 7, 10559, (2016)
Y. Zhang, K. He, C.-Z. Chang, C.-L. Song, L.-L. Wang, X. Chen, J.-F. Jia, Zh. Fang, X. Dai,W.-Y. Shan, Sh.-Q. Shen, Q. Niu, X.-L. Qi, Sh.-Ch. Zhang, X.-C. Ma, Q.-K. Xue. Nature Physics, 6, 584 (2010)
M. Ye, S.V. Eremeev, K. Kuroda, E.E. Krasovskii, E.V. Chulkov, Y. Takeda, Y. Saitoh, K. Okamoto, S.Y. Zhu, K. Miyamoto, M. Arita, M. Nakatake, T. Okuda, Y. Ueda, K. Shimada, H. Namatame, M. Taniguchi, A. Kimura. Phys. Rev. B, 85, 205317 (2012)
M.R. Scholz, J. Sachez-Barriga, D. Marchenko, A. Varykhalov, A. Volykhov, L.V. Yashina, O. Rader. Phys. Status Solidi RRL, 7, 139 (2013)
M.R. Scholz, J. Sanchez-Barriga, D. Marchenko, A. Varykhalov, A. Volykhov, L.V. Yashina, O. Rader. Phys. Rev. Lett., 108, 256810 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель