Вышедшие номера
Формирование омических контактов к слою алмазоподобного углерода, осажденному на диэлектрическую алмазную подложку
Переводная версия: 10.1134/S1063782620090213
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Грант Президента РФ для молодых кандидатов наук , МК-3450.2019.2
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Конкурс проектов 2018 года фундаментальных научных исследований, 18-02-00565
Охапкин А.И.1, Юнин П.А.1, Архипова Е.А.1, Краев С.А.1, Королев С.А.1, Дроздов М.Н.1, Шашкин В.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский район, Нижегородская обл., Россия
Email: andy-ohapkin@yandex.ru, yunin@ipmras.ru, suroveginaka@ipmras.ru, kraev@ipmras.ru, PESH@ipm.sci-nnov.ru, drm@ipm.sci-nnov.ru, sha@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.

Описан процесс изготовления омических контактов к слою алмазоподобного углерода (DLC) при осаждении на него последовательно металлических слоев Au/Mo/Ti. Контакты имели хорошие механические и адгезионные свойства. Их удельное контактное сопротивление варьировалось от 1.4·10-4 до 6.4·10-5 Ом · см2 в зависимости от толщины слоя DLC. Изучена температурная зависимость слоевого сопротивления пленок. Показано, что тонкие слои DLC обеспечивают лучшие характеристики омического контакта из-за их более равномерной графитизации в процессе термического отжига. Ключевые слова: алмазоподобный углерод, омические контакты, плазмохимическое осаждение, монокристаллический алмаз, термический отжиг.