Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Имплантация ионов кремния в сапфир: малые дозы

DOI: 10.21883/FTP.2020.08.49648.9405

Переводная версия: 10.1134/S1063782620080060

Белова Н.Е.¹, Шемардов С.Г.¹, Фанченко С.С.¹, Головкова Е.А.¹, Кондратьев О.А.¹

¹Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия National Research Center “Kurchatov Institute”, Moscow, Russia

Email: belova.nina@inbox.ru

Поступила в редакцию: 8 апреля 2020 г.

В окончательной редакции: 16 апреля 2020 г.

Принята к печати: 16 апреля 2020 г.

Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В результате ионной имплантации ионов кремния в сапфир и последующего высокотемпературного отжига в приповерхностной области сапфира наблюдаются преципитаты кремния и алюмосиликатов. Рентгеновские измерения методом сканирования обратного пространства показали наличие напряжения сжатия с деформацией -0.12% в нормальном направлении и напряжения растяжения с деформацией 0.2% в R-плоскости в этой области, что уменьшает несоответствие параметра решетки по отношению к кремнию (100) и может привести к повышению кристаллического качества эпитаксиальных пленок кремния, выращенных на таких модифицированных сапфировых подложках. Ключевые слова: ионная имплантация, сапфир, наночастицы, преципитаты, рентгеновская дифрактометрия, рефлектометрия.

Y. Dong, M. Chen, J. Chen, X. Wang. J. Phys. D: Appl. Phys., 37, 1732 (2004)
B. Aspar, M. Briel, H. Moricean et al. Microelectron. Eng., 36, 233 (1997)
А.Е. Благов, А.Л. Васильев и др. Кристаллография, 59 (3), 356 (2014)
M.I. Burgener, R.E. Reedy. Patent (USA), N 5.416.0.3. (1995)
П.А. Александров, Н.Е. Белова, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов. ФТП, 49, 1124 (2015)
П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов. Патент 2581443 (РФ) / НИЦ "Курчатовский институт" (2015)
Ю.М. Чесноков, П.А. Александров, Н.Е. Белова, С.Г. Шемардов, А.Л. Васильев. Кристаллография, 62 (4), 613 (2017)
П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Н.Е. Белова. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 8, 5 (2017)
П.А. Александров, К.Д. Демаков, С.Г. Шемардов, Ю.Ю. Кузнецов. Нано-микроскопическая техника, N 3, 54 (2008)
R. Turan, S. Yerci, T.G. Finstad, S. Foss. ФТТ, 51, 385 (2009)
S. Yerci, I. Yildiz, M. Kulakci, U. Serincan, M. Barozzi, M. Bersani, R. Turan. J. Appl. Phys., 102, 024309 (2007)
A. Mikhalychev, A. Benediktovitch, T. Ulyanenkova, A. Ulyanenkov. J. Appl. Cryst., 48, 679 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель